深圳赛意法微电子有限公司袁锦科获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳赛意法微电子有限公司申请的专利半导体器件失效检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115684153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211261109.1，技术领域涉及：G01N21/84；该发明授权半导体器件失效检测方法是由袁锦科;黄彩清设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件失效检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件失效检测方法，半导体器件包括覆盖在杂物外侧的干涉部件，包括以下步骤：准备光源，所述光源能够发出穿透所述干涉部件的光线，通过所述光源照射所述干涉部件；如观测到干涉图像，通过所述干涉图像在所述干涉部件上定位出对应于杂物的目标区域；基于所定位的所述目标区域检测杂物。本发明实施例的半导体器件失效检测方法可以对杂物进行定位，使得检测人员只需要在较小的范围进行检测，能够提升检测效率与检测成功率。
本发明授权半导体器件失效检测方法在权利要求书中公布了：1.半导体器件失效检测方法，半导体器件包括覆盖在杂物外侧的干涉部件，其特征在于，包括以下步骤： 准备光源，所述光源能够发出穿透所述干涉部件的光线，通过所述光源照射所述干涉部件； 如在所述干涉部件上观测到干涉图像，识别所述干涉图像上的特征标识，将所述干涉部件上所述特征标识对应的区域作为对应于杂物的目标区域，所述干涉图像包括多个同心且交替设置的环状明纹与环状暗纹，所述特征标识包括各所述环状明纹与各所述环状暗纹的中心，所述目标区域包括各所述环状明纹与各所述环状暗纹的中心区域； 基于所定位的所述目标区域检测杂物。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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