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龙图腾网获悉徐州金沙江半导体有限公司申请的专利基于GaN HEMT传感器的数字微流控生物检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115656501B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211272519.6，技术领域涉及：G01N33/543；该发明授权基于GaN HEMT传感器的数字微流控生物检测装置是由王兆龙设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于GaN HEMT传感器的数字微流控生物检测装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaNHEMT传感器的数字微流控生物检测装置，包括GaNHEMT传感器，GaNHEMT传感器下部设有试剂液滴检测区域，当携带抗原的液滴放入装置后，通过在电极上施加电压来改变液滴的接触角从而驱动液滴。当携带待测抗原的液滴经过检测区域时，液滴中的抗原会与检测区域内的抗体结合，结合后会引起势阱中二维电子气浓度的改变,而二维电子气浓度的改变会导致晶体管的源极和漏极之间电流的变化,因此可通过电流的变化来检测引入待测抗原的浓度变化，本发明与现有的技术相比的优点在于：可以精确控制试剂量、减少试剂的消耗，并且可以单独或同时操控若干个液滴按照指定路径完成检测，具有很大的灵活性。

本发明授权基于GaN HEMT传感器的数字微流控生物检测装置在权利要求书中公布了：1.一种基于GaNHEMT传感器的数字微流控生物检测装置，其特征在于：包括基板一，所述基板一的下部设有基板二； 所述基板一包括GaNHEMT传感器器件和EWOD芯片组件； 所述GaNHEMT传感器器件由顶层到底层依次设有基底一1、GaN层2和AlGaN层3，所述GaN层2与AlGaN层3之间形成二维电子气4，所述AlGaN层3的下部设有源极5、漏极6和栅极7； 所述GaNHEMT传感器器件的下部除栅极7外全部设有钝化层9，所述钝化层9上使用金属将源极5和漏极6引出； 所述栅极7的下部设有抗体8，所述源极5和漏极6的下部设有绝缘层一10； 所述EWOD芯片组件包括驱动电极一11，所述驱动电极一11位于钝化层9的下部； 所诉绝缘层一10和驱动电极一11的下部设有疏水层一12； 所述基板二包括基底二13，所述基底二13的上部设有多个驱动电极二14，所述驱动电极二14外部设有绝缘层二15，所述绝缘层二15的上部设有疏水层二16。

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