胜高股份有限公司尼崎晋获国家专利权
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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利单晶硅制造装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115637486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210841271.4，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权单晶硅制造装置是由尼崎晋设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅制造装置在说明书摘要公布了：本发明提供单晶硅制造装置1，前述单晶硅制造装置1具备腔50、坩埚51、放射温度计3、光源5、调整装置4，前述坩埚51配置于腔50内，前述放射温度计3具有检测来自测定对象的辐射光的检测元件16、将辐射光会聚至检测元件16的透镜15及用于视觉确认测定对象的取景器17，前述光源5经由取景器17及透镜15向测定对象沿与透镜15的光轴A一致的轴线供给光，前述调整装置4在能够调整放射温度计3的测定位置的状态下支承放射温度计3。
本发明授权单晶硅制造装置在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅制造装置，其特征在于， 具备腔、坩埚、放射温度计、射出激光光线的激光装置、调整装置， 所述坩埚配置于所述腔内， 所述放射温度计具有检测来自测定对象的辐射光的检测元件、将所述辐射光会聚至所述检测元件的透镜及用于视觉确认所述测定对象的取景器、以及将所述辐射光和可视光分离的分束器， 所述激光装置经由所述取景器及所述透镜，沿着与所述透镜的光轴一致的轴线向所述测定对象射出激光光线， 所述调整装置在能够调整所述放射温度计的测定位置的状态下支承所述放射温度计， 所述放射温度计具有中心与所述透镜的光轴一致的标记， 所述激光装置具有焦点可变机构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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