联华电子股份有限公司叶治东获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体装置以及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621310B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110804673.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置以及其制作方法是由叶治东;廖文荣设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括III‑V族化合物半导体层、III‑V族化合物阻障层、栅极沟槽以及P型掺杂III‑V族化合物层。III‑V族化合物阻障层设置在III‑V族化合物半导体层上。栅极沟槽设置在III‑V族化合物阻障层中。P型掺杂III‑V族化合物层设置在栅极沟槽中，且P型掺杂III‑V族化合物层的上表面与III‑V族化合物阻障层的上表面大体上共平面。
本发明授权半导体装置以及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： III-V族化合物半导体层； III-V族化合物阻障层，设置在该III-V族化合物半导体层上； 栅极沟槽，设置在该III-V族化合物阻障层中；以及 P型掺杂III-V族化合物层，设置在该栅极沟槽中，其中该P型掺杂III-V族化合物层的上表面与该III-V族化合物阻障层的上表面大体上共平面，其中该P型掺杂III-V族化合物层的该上表面包括凹陷表面，其中该P型掺杂III-V族化合物层的该上表面与该III-V族化合物阻障层的底表面之间在垂直方向上的距离是在宽容度为±10％的状况下等于该III-V族化合物阻障层在该垂直方向上的厚度，其中该半导体装置为常关式晶体管。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励