浙江星曜半导体有限公司高安明获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江星曜半导体有限公司申请的专利具有多层复合基底的薄膜体声波谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115567029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211295781.2，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权具有多层复合基底的薄膜体声波谐振器及其制备方法是由高安明;姜伟设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多层复合基底的薄膜体声波谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有多层复合基底的薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括第一衬底、第二衬底、第三衬底、底电极、压电层以及顶电极；第三衬底、第二衬底以及第一衬底依次叠放设置，构成复合衬底；底电极设置在第三衬底上；压电层设置在底电极上，压电层与底电极、第三衬底连接设置；第三衬底、底电极以及压电层之间形成空腔结构；顶电极设置在压电层上；压电层上设置有释放孔开口，释放孔开口与空腔连通。本发明能够得到高机械稳定性、几乎无残留物的空腔，并且凭借电阻率逐级递增的复合衬底的设置可以对寄生电容加以限制，还具有工艺简单、易实施的优点。
本发明授权具有多层复合基底的薄膜体声波谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有多层复合基底的薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括第一衬底101、第二衬底102、第三衬底103、底电极104、压电层105以及顶电极107； 所述第三衬底103、所述第二衬底102以及所述第一衬底101依次叠放设置，构成复合衬底； 所述底电极104设置在所述第三衬底103上；所述压电层105设置在所述底电极104上，所述压电层105与所述底电极104、所述第三衬底103连接设置； 所述第三衬底103、所述底电极104以及所述压电层105之间形成空腔106结构；所述顶电极107设置在所述压电层105上； 所述压电层105上设置有释放孔开口108，所述释放孔开口108与所述空腔106连通； 所述第一衬底101、所述第二衬底102、所述第三衬底103的电阻率逐级递增。
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