江苏大学赵新宏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江苏大学申请的专利一种双栅异质结构激子晶体管、制备方法及用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211310236.6，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种双栅异质结构激子晶体管、制备方法及用途是由赵新宏;董继祥;印胤;王权设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双栅异质结构激子晶体管、制备方法及用途在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双栅异质结构激子晶体管、制备方法及用途，所述晶体管包括表面镀有底栅电极的SiO2Si衬底、附着在SiO2Si衬底上的二维层状材料异质结、附着在二维层状材料异质结中间区域的介电层薄膜、附着在二维层状材料异质结上且位于介电层薄膜两侧的两侧透光导电层薄膜、以及附着在介电层薄膜上的中间透光导电层薄膜。中间透光导电层薄膜上附着有栅极，两侧透光导电层薄膜上分别附着有漏极与源极。工作时，入射光与SiO2Si衬底上的底栅电极之间相互作用会产生表面等离激元共振效应，利用表面等离激元共振效应可以增强半导体材料的光吸收效率，由若干个该激子晶体管组成的集成系统还兼具光学数据传输和电子数据处理系统的优势。
本发明授权一种双栅异质结构激子晶体管、制备方法及用途在权利要求书中公布了：1.一种双栅异质结构激子晶体管，其特征在于，包括表面镀有底栅电极3的SiO2Si衬底、附着在SiO2Si衬底上的二维层状材料异质结4、附着在二维层状材料异质结4中间区域的介电层薄膜5、附着在二维层状材料异质结4上且位于介电层薄膜5两侧的两侧透光导电层薄膜、以及附着在介电层薄膜5上的中间透光导电层薄膜6，中间透光导电层薄膜6与两侧透光导电层薄膜间互不接触，中间透光导电层薄膜6上附着有栅极9，两侧透光导电层薄膜上分别附着有漏极10与源极8；所述SiO2Si衬底上开设有若干道沟槽，所述底栅电极3附着在沟槽内，且完全填满沟槽；所述沟槽平行排列，数量为5～8个，沟槽深度为45～50nm，长度为10～15μm，相邻沟槽间距为500nm；所述介电层薄膜5的厚度为0.4～2nm；中间透光导电层薄膜6与两侧透光导电层薄膜的厚度均为0.4～4nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏大学，其通讯地址为：212013 江苏省镇江市京口区学府路301号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励