凸版光掩模有限公司市川显二郎获国家专利权
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龙图腾网获悉凸版光掩模有限公司申请的专利反射型掩模坯以及反射型掩模获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032346.8，技术领域涉及：G03F1/24；该发明授权反射型掩模坯以及反射型掩模是由市川显二郎;合田步美;中野秀亮设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本反射型掩模坯以及反射型掩模在说明书摘要公布了：提供即使在使用高吸收性材料作为EUV掩模的吸收膜的情况下也可以形成微细的吸收膜图案，从而能够减轻投影效应、且能够进行电子束校正蚀刻的反射型掩模以及用于制作该反射型掩模的反射型掩模坯。本实施方式涉及的反射型掩模坯10具有：基板1、形成在基板1上的具有多层膜结构且反射EUV光的多层反射膜2、形成在多层反射膜2上且保护多层反射膜2的封盖层3、以及形成在封盖层3上且吸收EUV光的吸收膜4，吸收膜4包含50原子％以上的构成氧化锡SnO和氧化铟InO中的至少一者的元素，并且包含容易被氟系气体或氯系气体蚀刻的材料。
本发明授权反射型掩模坯以及反射型掩模在权利要求书中公布了：1.一种反射型掩模坯，具有： 基板、 形成在所述基板上的具有多层膜结构且反射EUV光的反射膜、 形成在所述反射膜上且保护该反射膜的保护膜、以及形成在所述保护膜上且吸收EUV光的吸收膜，特征在于， 所述吸收膜包含50原子％以上的构成氧化铟的元素，并且包含容易被氟系气体或氯系气体蚀刻的材料， 所述容易被氟系气体蚀刻的材料是选自由锑、铱、锇、铼、钨、锗、钒、硒、钼、以及它们的氧化物、氮化物、氮氧化物、及氮化硼化物组成的组中的至少一种， 所述容易被氯系气体蚀刻的材料是选自由锗、钒、钛、铝、以及它们的氧化物、氮化物、氮氧化物、及氮化硼化物组成的组中的至少一种。
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