纳维达斯半导体有限公司朴毕圣获国家专利权
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龙图腾网获悉纳维达斯半导体有限公司申请的专利用于GaN高电压晶体管的场板结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210639872.7，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权用于GaN高电压晶体管的场板结构是由朴毕圣;D·M·金策设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于GaN高电压晶体管的场板结构在说明书摘要公布了：公开用于氮化镓GaN高电压晶体管的场板结构。在一个方面中，一种晶体管包含GaN衬底、形成于所述GaN衬底上的源极区、形成于所述GaN衬底上且与所述源极区分离的漏极区、形成于所述源极区和所述漏极区之间的栅极区、形成于所述GaN衬底上且定位于所述栅极区和所述漏极区之间的基座，以及电联接到所述源极区的场板，其中所述场板从定位于所述源极区和所述基座之间的近侧区朝向所述漏极区延伸，其中所述场板的至少一部分与所述基座的至少一部分重叠。
本发明授权用于GaN高电压晶体管的场板结构在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其包括： 氮化镓GaN衬底； 源极区，其形成于所述GaN衬底上； 漏极区，其形成于所述GaN衬底上且与所述源极区分离； 栅极区，其形成于所述源极区和所述漏极区之间； 基座，其形成于所述GaN衬底上且定位于所述栅极区和所述漏极区之间，其中，所述基座未位于所述栅极区与所述源极区之间；以及 场板，其电联接到所述源极区，所述场板从定位于所述源极区和所述基座之间的近侧区朝向所述漏极区延伸，其中，所述场板的起始位置设置于所述栅极区与所述基座之间，并且所述场板的起始位置与GaN衬底分隔电介质层的厚度，所述电介质层跨所述GaN衬底的至少一部分且跨所述基座的至少一部分延伸，其中所述场板的一部分以一定角度倾斜，使得所述场板和所述GaN衬底之间的距离在所述场板的远侧区的方向上增加，其中所述电介质层定位于所述基座和所述场板之间，其中所述场板的至少一部分与所述基座的至少一部分重叠。
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