厦门乾照光电股份有限公司林志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种多色LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425129B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211120718.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种多色LED芯片及其制作方法是由林志伟;崔恒平;罗桂兰;尤翠萍;李艳;陈凯轩;蔡建九设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多色LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多色LED芯片及其制作方法，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
本发明授权一种多色LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多色LED芯片，其特征在于，包括： 衬底以及沿所述衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层，且在所述有源区靠近所述衬底一侧的各功能层均为N型掺杂层，在所述有源区背离所述衬底一侧的各功能层均为P型掺杂层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述第一反射层。
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