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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种改善温度特性的槽栅DMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211030621.5，技术领域涉及：H10D30/64；该发明授权一种改善温度特性的槽栅DMOS器件是由任敏;任心宇;吴逸凝;叶昶宇;雷清滢;李泽宏设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善温度特性的槽栅DMOS器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种槽栅MOSFET结构，包括金属化漏极、重掺杂第一导电类型半导体衬底、轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层、第一导电类型半导体重掺杂源区I、第一导电类型半导体重掺杂源区II、层间介质、沟槽多晶硅栅电极、平面多晶硅栅电极、金属通孔、栅氧化层、第二导电类型半导体重掺杂接触区、纵向沟道区、横向沟道区、第二导电类型半导体体区；本发明通过在器件内部设计一个无需额外版图面积，也无需更深沟槽深度的横向MOSFET，与纵向沟道串联从而延长沟道长度，从而使迁移率对漏极电流的影响将显著增加，器件能够更早的进入电流负温度特性区域，提高器件的可靠性。

本发明授权一种改善温度特性的槽栅DMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种改善温度特性的槽栅DMOS器件，其特征在于： 器件顶部设有金属通孔9，经过器件元胞金属通孔9且与金属通孔9长度平行的纵剖面为BB1剖面，经过了金属通孔9且与金属通孔9长度方向垂直、从元胞的一侧到另一侧的纵剖面为AA1剖面； 在AA1剖面上，器件结构包括金属化漏极1、位于金属化漏极1之上的重掺杂第一导电类型半导体衬底2、位于重掺杂第一导电类型半导体衬底2之上的轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3；位于轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3顶部的第二导电类型半导体体区14；所述轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3的顶部还具有沟槽，所述沟槽内填充多晶硅栅电极7；所述沟槽的侧面与第二导电类型半导体体区14相接触，所述沟槽的下表面低于第二导电类型半导体体区14的下表面；沟槽多晶硅栅电极7通过栅氧化层10实现与第二导电类型半导体体区14的电气隔离；位于第二导电类型半导体体区14的顶部一侧的第一导电类型半导体重掺杂源区I4和位于第二导电类型半导体体区14的顶部另一侧的第一导电类型半导体重掺杂源区II5；位于第二导电类型半导体体区14的部分顶部的第二导电类型半导体重掺杂接触区11；纵向沟道区12位于第二导电类型半导体体区14内侧面并且与沟槽多晶硅栅电极7平行；第二导电类型半导体重掺杂接触区11和部分第一导电类型半导体重掺杂源区II5通过其顶部的金属通孔9实现与顶层源极金属的电气连接；沟槽多晶硅栅电极7通过层间介质6实现与轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3、第一导电类型半导体重掺杂源区I4、第一导电类型半导体重掺杂源区II5、第二导电类型半导体重掺杂接触区11、金属通孔9与顶层金属的电气隔离； 在BB1剖面上，器件结构包括金属化漏极1、位于金属化漏极1之上的重掺杂第一导电类型半导体衬底2、位于第一导电类型半导体衬底2之上的轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3；位于轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3顶部的第二导电类型半导体体区14；所述第二导电类型半导体体区14部分顶部的平面多晶硅栅电极8；沟槽多晶硅栅电极7和平面多晶硅栅电极8直接相连，横向沟道区13位于第二导电类型半导体体区14内顶部并且与平面多晶硅栅电极8平行；位于第二导电类型半导体体区14的部分顶部的第二导电类型半导体重掺杂接触区11；第二导电类型半导体重掺杂接触区11通过其顶部的金属通孔9实现与顶层源极金属的电气连接；平面多晶硅栅电极8通过层间介质6实现与轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层3、第一导电类型半导体重掺杂源区I4、第一导电类型半导体重掺杂源区II5、第二导电类型半导体重掺杂接触区11、金属通孔9与顶层金属的电气隔离； 第一导电类型半导体重掺杂源区I4与源极不直接相连；第一导电类型半导体重掺杂源区I4和第一导电类型半导体重掺杂源区II5、平面多晶硅栅电极8、横向沟道区13形成横向MOSFET结构。

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