电子科技大学李泽宏获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种内置RC回路的GaN HEMT功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211032409.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种内置RC回路的GaN HEMT功率器件是由李泽宏;叶钰麒;赵一尚;任敏设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内置RC回路的GaN HEMT功率器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，具体为一种内置RC回路的GaNHEMT功率器件。本发明在确保一定P‑GaN层厚度、将二维电子耗尽实现GaN变成增强型的基础上，在P‑GaN层和金属化栅极之间映入n型掺杂的GaN，p型掺杂的GaN。改变了传统结构上GaN本征电容和边缘电容。采用该结构可以有效的提高栅电阻，同时在栅源和栅漏侧有效的增加边缘电容，形成一个内置的RC吸收器，可以有效解决了GaN目前外加RC电路带来的损耗和效率下降的问题。同时使得GaN器件自身具有一定的抗EMI特性。
本发明授权一种内置RC回路的GaN HEMT功率器件在权利要求书中公布了：1.一种内置RC回路的GaNHEMT功率器件，其特征在于包括AlN成核层1、位于AlN成核层1上的重掺杂AlGaN或GaN缓冲层2、位于所述重掺杂AlGaN或GaN缓冲层2上的轻掺杂GaN沟道层3、位于所述轻掺杂GaN沟道层3上的AlGaN势垒层4；位于所述AlN成核层1下的P型掺杂Si衬底11； 还包括：位于所述AlGaN势垒层4上的Mg掺杂的第一p-GaN盖帽层6；位于Mg掺杂的p-GaN盖帽层6上的第二p-GaN层8，位于两个所述第二p-GaN层8之间的n-GaN层7，位于所述n-GaN层7和第二p-GaN层8上的金属化栅极5，位于所述AlGaN势垒层4左侧的金属化源极9；位于所述AlGaN势垒层4右侧的金属化漏极10；所述金属化漏极10和轻掺杂GaN沟道层3形成欧姆接触；所述金属化源极9和轻掺杂GaN沟道层3形成欧姆接触；所述金属化栅极5和n-GaN层7、第二p-GaN层8形成肖特基接触。
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