电子科技大学李轩获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211125637.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET器件及制备方法是由李轩;吴阳阳;李凌峰;赵汉青;邓小川;张波设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET及制备方法，包括：N型衬底、N型外延层、P+shield区、肖特基接触金属、源电极、栅介质、多晶硅栅、P‑body区、P+接触区、N+接触区、漏极；本发明提出的碳化硅MOSFET器件，通过在器件体内形成电势自调节的P+shield区，在不降低器件导通能力的前提下，对栅氧化层形成保护，增强器件阻断能力，当器件发生短路时，P+shield区与N型外延层形成的PN结耗尽区将JFET区夹断，降低器件短路时的饱和电流，提高其短路能力。
本发明授权集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET器件，其特征在于包括：N型衬底10、位于N型衬底10上方的N型外延层9、位于N型外延层9内的P+shield区8、位于P+shield区8上方且与P+shield区8形成肖特基接触的肖特基接触金属3、位于肖特基接触金属3上方的源电极1、位于P+shield区8上方的栅介质7和栅介质7内部的多晶硅栅2、位于N型外延层9上方的P-body区6、位于P-body区6上方且与源电极1形成欧姆接触的P+接触区4和N+接触区5、位于N型衬底10下方且与N型衬底10形成欧姆接触的漏极11，P+接触区4和N+接触区5位于栅介质7的两侧、源电极1的下方。
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