天狼芯半导体(成都)有限公司刘杰获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种垂直型二极管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211030593.7，技术领域涉及：H10D8/50；该发明授权一种垂直型二极管器件及其制备方法是由刘杰;黄汇钦设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直型二极管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种垂直型二极管器件及其制备方法，垂直型二极管器件包括：阴极金属层、N型半导体层、本征半导体层、P型半导体层、阳极金属层以及P型掺杂区；其中，本征半导体层的宽度小于所述N型半导体层的宽度；P型掺杂区位于所述N型半导体层上，且设于所述本征半导体层两侧，所述P型掺杂区的厚度小于所述本征半导体层的厚度；本申请通过在本征半导体层的两侧设置P型掺杂区，使得P型掺杂区均与本征半导体层形成耗尽区，从而对本征半导体层内部的电场进行调制，使得电场在本征半导体层内分布的更加均匀分布，从而提升二极管的反向击穿电压。
本发明授权一种垂直型二极管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型二极管器件，其特征在于，所述垂直型二极管器件包括： 从下至上依次层叠设置的阴极金属层、N型半导体层、本征半导体层、P型半导体层以及阳极金属层；其中，所述本征半导体层的宽度小于所述N型半导体层的宽度； P型掺杂区，位于所述N型半导体层上，且设于所述本征半导体层两侧；其中，所述P型掺杂区的厚度小于所述本征半导体层的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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