联华电子股份有限公司谢丞聿获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利影像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110504117.3，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权影像传感器是由谢丞聿设计研发完成，并于2021-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本影像传感器在说明书摘要公布了：本发明公开一种影像传感器，其包括半导体基底、第一隔离结构、可见光侦测结构以及红外光侦测结构。半导体基底具有在垂直方向上相对的第一表面与第二表面。第一隔离结构设置于半导体基底中，用于半导体基底中定义出多个像素区。可见光侦测结构与红外光侦测结构设置于同一个像素区之内，且可见光侦测结构的第一部分在垂直方向上设置于红外光侦测结构与半导体基底的第二表面之间。
本发明授权影像传感器在权利要求书中公布了：1.一种影像传感器，其特征在于，包括： 半导体基底，该半导体基底具有在垂直方向上相对的第一表面与第二表面； 第一隔离结构，设置于该半导体基底中，用于该半导体基底中定义出多个像素区； 至少一个可见光侦测结构，设置于该半导体基底中； 至少一个红外光侦测结构，设置于该半导体基底中，其中该至少一个可见光侦测结构与该至少一个红外光侦测结构设置于该多个像素区中的一个之内，且该至少一个可见光侦测结构的第一部分在该垂直方向上设置于该至少一个红外光侦测结构与该半导体基底的该第二表面之间；以及 反射层，设置于该半导体基底的该第一表面上，其中该至少一个红外光侦测结构在该垂直方向上设置于该反射层与该至少一个可见光侦测结构的该第一部分之间，其中该反射层为电性浮置electricallyfloating导电层， 其中该至少一个红外光侦测结构的材料组成不同于该至少一个可见光侦测结构的材料组成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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