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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种基于磁隧道结的神经元器件及神经网络装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210381021.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种基于磁隧道结的神经元器件及神经网络装置是由邢国忠;王紫崴;赵雪峰;王迪;刘龙;林淮;张昊设计研发完成，并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于磁隧道结的神经元器件及神经网络装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于磁隧道结的神经元器件及神经网络装置，其中，基于磁隧道结的神经元器件包括：合成反铁磁结构层，所述合成反铁磁结构的第一侧设置有底电极；势垒层，设置在所述合成反铁磁结构层的第二侧；铁磁自由层，设置在所述势垒层上远离所述底电极的一侧；顶电极，设置在所述铁磁自由层上远离所述底电极的一侧；第一边界反铁磁钉扎层和第二边界反铁磁钉扎层，均设置在所述铁磁自由层上远离所述底电极的一侧，并且分别位于所述顶电极的两侧；本发明的基于磁隧道结的神经元器件可通过调整合成反铁磁结构层更好的控制产生杂散场的强度，实现泄露速度的调节，保证高可靠性的自泄露功能，有利于微缩和集成。

本发明授权一种基于磁隧道结的神经元器件及神经网络装置在权利要求书中公布了：1.一种基于磁隧道结的神经元器件，其特征在于，包括： 合成反铁磁结构层，所述合成反铁磁结构的第一侧设置有底电极； 势垒层，设置在所述合成反铁磁结构层的第二侧； 铁磁自由层，设置在所述势垒层上远离所述底电极的一侧；其中，所述铁磁自由层受到的杂散场由所述合成反铁磁结构层的结构确定； 顶电极，设置在所述铁磁自由层上远离所述底电极的一侧； 第一边界反铁磁钉扎层和第二边界反铁磁钉扎层，均设置在所述铁磁自由层上远离所述底电极的一侧，并且分别位于所述顶电极的两侧；所述第一边界反铁磁钉扎层和所述第二边界反铁磁钉扎层分别用于确定所述铁磁自由层两端的磁化方向，以使所述铁磁自由层中的磁畴壁在所述第一边界反铁磁钉扎层和所述第二边界反铁磁钉扎层之间运动； 第一边界电极，设置在所述第一边界反铁磁钉扎层上远离所述底电极的一侧；以及第二边界电极，设置在所述第二边界反铁磁钉扎层上远离所述底电极的一侧； 所述合成反铁磁结构层包括铁磁参考层、合成反铁磁耦合层和底部铁磁层；所述底电极设置在所述底部铁磁层的第一侧，所述合成反铁磁耦合层设置在所述底部铁磁层的第二侧，所述铁磁参考层设置在所述合成反铁磁耦合层上远离所述底部铁磁层的一侧； 其中，所述铁磁参考层和底部铁磁层的饱和磁化强度，用于确定合成反铁磁结构层的补偿程度，以调整所述铁磁自由层受到的杂散场的强度。

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