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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种氮化镓功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210782596.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种氮化镓功率器件及其制备方法是由黄汇钦;吴龙江设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种氮化镓功率器件及其制备方法，氮化镓功率器件包括氮化镓层、氮化镓帽层、氮化硅层、源极区、漏极区、第一栅极层、第二栅极层、预埋场板层以及气桥场板层，通过将面积小于所述第二栅极层的面积的第一栅极层设于第二栅极层与氮化镓帽层之间，并同时在与第二栅极层互不接触的位置设置预埋场板层，并采用气桥场板层连接于源极区与预埋场板层，可以在只增加一道光罩的成本下，设计出一套工艺流程同时完成漏极端与栅极端之间的电场调节，提升了功率器件的可靠性和性能。

本发明授权一种氮化镓功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓功率器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 从下至上依次制备氮化镓层、氮化镓帽层以及氮化硅层，并在所述氮化硅层两侧形成源极区和漏极区；其中，所述源极区和所述漏极区深入至所述氮化镓层； 在所述氮化硅层上形成第一沟槽； 对所述第一沟槽进行刻蚀形成第二沟槽，并在所述氮化硅层上形成第三沟槽；其中，所述第二沟槽与所述第三沟槽互不接触，且所述第二沟槽呈凸字形，并与所述氮化镓帽层接触； 填充金属材料在所述第二沟槽内形成栅极层，并在所述第三沟槽内形成预埋场板层；其中，所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层的面积小于所述第二栅极层的面积；所述第一栅极层、所述第二栅极层以及所述预埋场板层采用大马士革镶嵌工艺分别同时在所述第二沟槽和所述第三沟槽内形成； 在所述源极区与所述预埋场板层之间制备气桥场板层；所述第一栅极层的厚度与所述第二栅极层的厚度之和等于所述氮化硅层的厚度；所述预埋场板层与所述氮化镓帽层之间形成寄生电容，所述预埋场板层的厚度小于所述氮化硅层的厚度；所述氮化镓帽层与所述预埋场板层之间的距离大于所述氮化硅层的厚度的20%。

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