厦门未来显示技术研究院有限公司林志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门未来显示技术研究院有限公司申请的专利一种RGB Micro-LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115050873B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210734682.3,技术领域涉及:H10H20/831;该发明授权一种RGB Micro-LED芯片及其制作方法是由林志伟;陈凯轩;柯志杰;蔡建九;艾国齐;谈江乔;江方设计研发完成,并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种RGB Micro-LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种RGBMicro‑LED芯片及其制作方法,其中RGBMicro‑LED芯片包括:若干像素单元,每个像素单元均包括:导电基板;层叠在导电基板表面的RGB堆叠结构,RGB堆叠结构包括沿第一方向依次堆叠且呈台阶状分布的红光发光结构、绿光发光结构和蓝光发光结构,并露出红光台面、绿光台面和蓝光台面,采用垂直堆叠方式,可减小每组RGBMicro‑LED芯片的尺寸,提高显示分辨率;且各发光结构的波长沿出光方向逐渐递减,并结合金属反射镜的设置,使各出射光沿出光方向出射,避免短波长发光结构的出射光被长波长发光结构吸光,进而提高RGBMicro‑LED芯片的出光效率。
本发明授权一种RGB Micro-LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种RGBMicro-LED芯片,其特征在于,包括: 若干像素单元,每个所述像素单元均包括: 导电基板; 层叠在所述导电基板表面的RGB堆叠结构,所述RGB堆叠结构包括沿第一方向依次堆叠且呈台阶状分布的红光发光结构、绿光发光结构和蓝光发光结构,以使各发光结构的波长沿出光方向逐渐递减,并露出红光台面、绿光台面和蓝光台面,所述红光发光结构沿所述第一方向依次包括层叠的第一金属反射镜、红光P型半导体层、红光有源区和红光N型半导体层;所述绿光发光结构沿所述第一方向依次包括层叠的第二金属反射镜、绿光P型半导体层、绿光有源区和绿光N型半导体层;所述蓝光发光结构沿所述第一方向依次包括层叠的第三金属反射镜、蓝光P型半导体层、蓝光有源区和蓝光N型半导体层,所述第一方向垂直于所述导电基板,并由所述导电基板指向所述蓝光发光结构; 所述红光发光结构、所述绿光发光结构与所述蓝光发光结构之间通过各金属反射镜两两串联; 所述蓝光台面设有向所述第三金属反射镜延伸的凹槽,显露部分所述第三金属反射镜,形成第三金属反射镜台面;所述第三金属反射镜台面设有向所述第二金属反射镜延伸的凹槽,显露部分所述第二金属反射镜,形成第二金属反射镜台面; 第一电极,其设置在所述导电基板背离所述RGB堆叠结构的一侧表面; 第二电极,其层叠于所述蓝光台面上; 第三电极,其覆盖所述第三金属反射镜台面,与所述绿光发光结构和所述蓝光发光结构连接,并与所述绿光发光结构和所述蓝光发光结构的侧壁距离设置; 第四电极,其覆盖所述第二金属反射镜台面,与所述红光发光结构和所述绿光发光结构连接,并与所述红光发光结构和所述绿光发光结构的侧壁距离设置; 绝缘保护层,所述绝缘保护层覆盖所述RGB堆叠结构和所述导电基板的裸露面,并露出所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极。
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