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龙图腾网获悉电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院申请的专利一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210829425.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构是由周锌;陈浪涛;吴中华;疏鹏;乔明;张波设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗单粒子效应的高压LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、埋氧层、栅氧层、槽氧化层、场氧化层、N型外延、P型阱区、P型埋层区、源区P+注入、槽底部P+注入、N型阱区、源区N+注入、漏区N+注入、多晶硅、金属、介质槽。本发明通过在P型阱区下引入新的电极，为单粒子辐射产生的空穴电流提供一条额外的泄漏路径，避免器件内部寄生晶体管的开启。

本发明授权一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构，其特征在于：包括位于底部的第一导电类型衬底8、位于第一导电类型衬底8上方的埋氧化层7、位于埋氧化层7上方的第二导电类型漂移区5、位于第二导电类型漂移区5右上方的第二导电类型阱区4，位于第二导电类型阱区4内部右上方的第二导电类型源区2，位于第二导电类型型漂移区5左上方的第一导电类型阱区3，位于第一导电类型阱区3内部的第二导电类型源区2以及第一导电类型体区1，位于第一导电类型阱区3左边的槽氧化层15以及槽氧化层15内部的介质槽14，位于介质槽14下方的第一导电类型体区1，以及第一导电类型体区1下方的第一导电类型埋层区6，位于栅氧化层9与场氧化层10上方的多晶硅栅电极12，位于第一导电类型阱区3与介质槽14上方的源电极11，位于第二导电类型阱区4内部右上方的第二导电类型源区2上方的漏电极13； 位于介质槽14底部的第一导电类型体区1被第一导电类型埋层区6完全包围； 槽氧化层15侧面与第一导电类型阱区3相切，介质槽14与源电极11短接，从而为位于介质槽14底部的第一导电类型体区1与第一导电类型埋层区6提供一个与源极相等的电势，为离化电荷的抽取提供一条泄放路径； 所述介质槽14的材料为多晶硅或金属。

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