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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种基于金属纳米线阵列表面等离激元激光发射器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115021067B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210409983.9，技术领域涉及：H01S3/16；该发明授权一种基于金属纳米线阵列表面等离激元激光发射器及其制备方法是由曹鸿涛;王鑫鹏;高俊华;陈芝琳;姜雨欣设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于金属纳米线阵列表面等离激元激光发射器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于金属纳米线阵列表面等离激元激光发射器，包括金属纳米线阵列‑增益介质复合层；所述金属纳米线阵列‑增益介质复合层中，金属纳米线阵列垂直分布在增益介质复合层中，金属纳米线的直径不小于2nm，高度与所述金属纳米线阵列‑增益介质复合层的厚度相同，相邻金属纳米线的间距为1～15nm，金属纳米线占所述金属纳米线阵列‑增益介质复合层的体积百分数为20％～60％。该公开了一种激光发射器的制备方法，该制备方法操作简单，便于实际制备和应用，制备得到的激光发射器的激发功率密度阈值只有20Wcm2。

本发明授权一种基于金属纳米线阵列表面等离激元激光发射器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于金属纳米线阵列表面等离激元激光发射器，其特征在于，包括金属纳米线阵列-增益介质复合层，入射光经过金属纳米线阵列-增益介质复合层，引起金属纳米线中自由电子的集体振荡，激发出表面等离激元共振，使纳米线之间的局域电场增强，从而使得增益介质的带跃迁能量辐射增强，进而使得光子发射增强，结果产生表面等离激光； 所述金属纳米线阵列-增益介质复合层中，金属纳米线的尺寸和排布以及增益介质的种类等都将影响等离激元激光发射器对入射光的响应，因此，金属纳米线阵列垂直分布在增益介质复合层中，金属纳米线的直径不小于2nm，高度与所述金属纳米线阵列-增益介质复合层的厚度相同，相邻金属纳米线的间距为1-15nm，金属纳米线占所述金属纳米线阵列-增益介质复合层的体积百分数为20％-60％，增益介质材料包括：红粉Y2O3：Eu3+、绿粉CeMgAl11O19：Tb3+或La,Ce,TbPO4、蓝粉BaMgAl10O17：Eu或Sr5PO43Cl:Eu2+、Y2O3：Pr3+、Y2O3：Sm3+、Y2O3：Gd3+、Y2O3：Tb3+、Y2O3：Dy3+、Y2O3：Ho3+、Y2O3：Er3+、Y2O3：Tm3+、NaYF4-Yb3+Er3+，从而能够更好地产生等离激光。

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