北京工业大学王智勇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种基于增益导引的VCSEL相干阵列芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210580763.2，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权一种基于增益导引的VCSEL相干阵列芯片是由王智勇;温哲;张琛辉设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于增益导引的VCSEL相干阵列芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于增益导引的VCSEL相干阵列芯片，包括：VCSEL阵列单元和光子晶体；VCSEL阵列单元的有源层内部设有光子晶体，光子晶体的分布满足VCSEL阵列单元的发射光波长正好位于光子晶体的光子禁带之中；VCSEL阵列单元的通道位置处不设置光子晶体，以产生拓扑结构上的缺陷，造成此处折射率的差异。本发明利用光子晶体缺陷态，使激光发射单元的出射光沿着光子晶体的缺陷注入到相邻的激光发射单元的有源层内部，使其内部的粒子发生受激辐射，产生与原VCSEL单元相位相同的激光，由此实现整个阵列的相干。
本发明授权一种基于增益导引的VCSEL相干阵列芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于增益导引的VCSEL相干阵列芯片，其特征在于，包括：VCSEL阵列单元和光子晶体； 所述VCSEL阵列单元的有源层内部设有所述光子晶体，所述光子晶体的分布满足所述VCSEL阵列单元的发射光波长正好位于所述光子晶体的光子禁带之中； 所述VCSEL阵列单元的通道位置处不设置光子晶体，以产生拓扑结构上的缺陷，造成此处折射率的差异； 所述VCSEL阵列单元的有源层是相连的，利用所述光子晶体的缺陷态，使激光发射单元的出射光沿着所述光子晶体的缺陷注入到相邻的激光发射单元的有源层内部； 注入到相邻的激光发射单元的光会导致被注入激光发射单元内部的粒子发生受激辐射，产生与原VCSEL单元相位相同的激光，以实现整个阵列的相干。
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