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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210492281.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由段方方;刘英策;邬新根;崔恒平;蔡海防设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，本申请提供的LED芯片的制作方法，一方面，通过光刻、刻蚀的方式将阻挡层进行图形化处理，实现一道光刻工艺同时形成电流阻挡层和N区掩膜；另一方面，通过干法刻蚀同时刻蚀P区掩膜、N区掩膜和切割道图形，实现一道刻蚀中形成N型区台面和切割道，简化流程，提升产量，且刻蚀面皆为倾斜面有利于在PV工序中沉积绝缘保护层，在不额外增加光刻的基础上，将外延结构的倾斜面和切割道裸露出来，最后在PV工序中被绝缘保护层保护起来，从而提升LED芯片的发光亮度和可靠性。

本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括： 步骤S1、提供一衬底； 步骤S2、在所述衬底上层叠外延结构，所述外延结构沿背离所述衬底的方向依次包括层叠的N型半导体层、有源区和P型半导体层； 步骤S3、在所述外延结构上沉积整层阻挡层； 步骤S4、通过光刻、刻蚀的方式将所述阻挡层进行图形化处理，形成电流阻挡层和N区掩膜；所述电流阻挡层包括第一开孔，且所述第一开孔露出所述P型半导体层； 步骤S5、通过掩膜光刻的方式形成P区掩膜，所述P区掩膜覆盖所述电流阻挡层、部分所述N区掩膜和部分所述P型半导体层，并在所述P型半导体层的上表面边沿定义出切割道图形，所述P区掩膜与所述N区掩膜相叠的部分为交叠区； 步骤S6、同时刻蚀所述P区掩膜、所述N区掩膜和所述切割道图形，形成N型区台面和切割道，且刻蚀面皆为倾斜面； 所述步骤S6具体包括以下工序： 通过干法刻蚀，沿裸露的所述N区掩膜刻蚀，露出部分所述N型半导体层，形成所述N型区台面；同时沿所述切割道图形刻蚀，露出衬底，形成所述切割道，所述切割道环绕所述外延结构；同时沿所述P区掩膜刻蚀掉部分所述P区掩膜； 通过湿法刻蚀，侧向腐蚀掉所述交叠区的N区掩膜； 通过去胶液去掉残余的P区掩膜； 步骤S7、在所述P型半导体层上表面和所述电流阻挡层表面沉积透明导电层，所述透明导电层包括第二开孔，且所述第二开孔露出所述第一开孔和部分所述电流阻挡层，所述第一开孔和所述第二开孔形成P型电极台阶； 步骤S8、在所述N型区台面沉积N型电极；在所述P型电极台阶沉积P型电极，所述P型电极连接所述P型半导体层、所述电流阻挡层和所述透明导电层； 步骤S9、沉积整面绝缘保护层，并通过光刻、刻蚀露出所述N型电极和所述P型电极，所述绝缘保护层覆盖所述透明导电层、所述外延结构的裸露面和所述切割道。

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