中国科学院微电子研究所刘凡宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114818581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110110255.3，技术领域涉及：G06F30/39；该发明授权一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置是由刘凡宇;张军军;李博;滕瑞;刘海南;赵发展设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置，方法包括：创建目标器件对应的三维单片集成电路模型；为每层电路结构模型创建对应的能量沉积模型；基于目标入射粒子对各能量沉积模型进行能量沉积仿真，获得各层电路结构模型对应的目标LET；基于目标入射粒子、各层电路结构模型对应的目标线性能量转移值对三维单片集成电路模型进行单粒子效应仿真；如此，对每层电路结构模型均创建对应的能量沉积模型，对各能量沉积模型进行能量沉积仿真，获得各层电路结构模型对应的目标LET，再对三维单片集成电路模型进行单粒子效应仿真，确保仿真结果精准，根据仿真结果对三维单片集成电路的结构及参数进行调整，提高电路的可靠性。
本发明授权一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法，其特征在于，所述方法包括： 创建目标器件对应的三维单片集成电路模型，所述三维单片集成电路模型至少包括两层电路结构模型； 为所述每层电路结构模型创建对应的能量沉积模型； 确定目标入射粒子，基于所述目标入射粒子对各所述能量沉积模型进行能量沉积仿真，获得各层所述电路结构模型对应的目标线性能量转移值； 基于所述目标入射粒子、各层所述电路结构模型对应的目标线性能量转移值对所述三维单片集成电路模型进行单粒子效应仿真；其中， 所述为所述每层电路结构模型创建对应的能量沉积模型，包括： 针对任一层所述电路结构模型，确定对应的目标能量沉积区域；所述目标能量沉积区域的中心与对应电路结构模型中MOS管的漏极中心同心； 针对任一所述目标能量沉积区域，确定所述目标能量沉积区域的目标半径。
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