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龙图腾网获悉成都智达和创信息科技有限公司申请的专利一种消除电压折回现象的逆导型IGBT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210480121.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种消除电压折回现象的逆导型IGBT是由刘超;余丽波;孙瑞泽设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种消除电压折回现象的逆导型IGBT在说明书摘要公布了：本发明公开了一种消除电压折回现象的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P+导电材料、集电极金属、N型导电材料和浮空金属；N型缓冲层的其中一侧连接在耐压层结构上，P+集电极区和N+集电极区的其中一侧分别连接在N型缓冲层的另一侧，且P+集电极区和N+集电极区之间具有间隙，P+集电极区的另一侧具有集电极金属；本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，消除了snapback现象，并且反向导通电流更加均匀。

本发明授权一种消除电压折回现象的逆导型IGBT在权利要求书中公布了：1.一种消除电压折回现象的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧，其特征在于，所述的集电极结构包括P+集电极区11、N+集电极区12和N型缓冲层13、P型导电材料15、集电极金属16、N型导电材料17和浮空金属18； 所述的N型缓冲层13的其中一侧连接在所述的耐压层结构上，所述的P+集电极区11和N+集电极区12的其中一侧分别连接在所述N型缓冲层13的另一侧，且P+集电极区11和N+集电极区12之间具有间隙，所述P+集电极区11的另一侧具有集电极金属16，集电极金属16引出集电极C，所述的浮空金属18连接在所述N+集电极区12的另一侧，且集电极金属16与浮空金属18之间不接触； 所述P型导电材料15置于所述间隙内且连接在所述的浮空金属18上，P型导电材料15的侧边与所述的P+集电极区11、N+集电极区12和N型缓冲层13之间均具有间距； 所述的N型导电材料17连接在所述P型导电材料15上且其中一侧连接集电极金属16；在P+集电极区11和N+集电极区12之间的间隙内设有第一绝缘介质层14，所述的P型导电材料15连接在所述第一绝缘介质层14上。

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