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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利氧化镓场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744047B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470918.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权氧化镓场效应晶体管是由吕元杰;刘宏宇;王元刚;卜爱民;盛百城;冯志红设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在n型氧化镓沟道层上的源电极、漏电极和栅电极；在n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内设有多个周期排布的刻蚀凹坑，相邻刻蚀凹坑相靠近的两侧壁在n型氧化镓沟道层上形成鳍状台面；鳍状台面的两个侧壁从源电极侧以相互远离的方式向漏电极侧延伸；其中，栅电极还覆盖所述鳍状台面的上表面和两个侧壁，形成FinFET结构。本发明提供的氧化镓场效应晶体管可以进一步提高器件的击穿特性。

本发明授权氧化镓场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层上的源电极、漏电极和栅电极；其特征在于： 在所述n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内设有多个周期排布的刻蚀凹坑，相邻所述刻蚀凹坑的相靠近的两侧壁在所述n型氧化镓沟道层上形成鳍状台面；所述鳍状台面的两个侧壁从源电极侧以相互远离的方式向所述漏电极侧延伸；所述刻蚀凹坑在所述n型氧化镓沟道层上的俯视图为四边形，其中的第一边靠近源电极、与所述第一边相对设置的第二边靠近漏电极、且所述第一边的长度大于所述第二边；连接在所述第一边与所述第二边之间的第三边和第四边从漏电极侧以相互远离的方式向源电极侧延伸；其中，所述鳍状台面的两个侧壁之间的夹角为α，且10°≤α≤170°，所述n型氧化镓沟道层的掺杂浓度沿着其生长方向渐变或者梯度变化； 其中，所述栅电极还覆盖所述鳍状台面的上表面和两个侧壁，形成FinFET结构，设置在所述鳍状台面上的栅电极占所述鳍状台面长度的14~23，形成倾斜的Fin沟道，以使Fin结构上的栅电极具有更高的表面积与体积比，以调节器件的阈值电压，使阈值电压正移，以降低器件峰值场强。

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