三菱电机株式会社田中香次获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111589063.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及其制造方法是由田中香次;西康一;陈则设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：得到耐压高、生产率优异、能够抑制恢复或截止时的浪涌电压的半导体装置及其制造方法。被注入质子、比漂移层2浓度高的第1缓冲层7设置于漂移层2与第2扩散层5之间。比漂移层2浓度高的第2缓冲层8设置于第1缓冲层7与第2扩散层5之间。第2缓冲层8的峰值浓度比第1缓冲层7的峰值浓度高。第1缓冲层7的杂质浓度朝向背面而逐渐减小。将从第1缓冲层7的峰值位置至漂移层2与第1缓冲层7的边界为止的长度设为Xa，将从峰值位置至第1缓冲层7与第2缓冲层8的边界为止的长度设为Xb，Xb＞5Xa。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 半导体基板，其具有表面、位于所述表面的相反侧的背面以及所述表面与所述背面之间的第1导电型的漂移层； 第2导电型的第1扩散层，其设置于所述漂移层与所述表面之间； 第2扩散层，其设置于所述漂移层与所述背面之间； 第1导电型的第1缓冲层，其设置于所述漂移层与所述第2扩散层之间，被注入质子，比所述漂移层浓度高；以及 第1导电型的第2缓冲层，其位于所述第1缓冲层与所述第2扩散层之间，比所述漂移层浓度高， 所述第2缓冲层的峰值浓度比所述第1缓冲层的峰值浓度高， 所述第1缓冲层的杂质浓度从峰值位置朝向所述背面而逐渐减小， 将从所述第1缓冲层的所述峰值位置至所述漂移层与所述第1缓冲层的边界为止的长度设为Xa， 将从所述峰值位置至所述第1缓冲层与所述第2缓冲层的边界为止的长度设为Xb， Xb＞5Xa。
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