联华电子股份有限公司熊昌铂获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114695509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011616068.4,技术领域涉及:H10D62/10;该发明授权半导体结构是由熊昌铂;杨庆忠;黄善禧;李文芳设计研发完成,并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种半导体结构,包括基底,设置在基底中的第一导电型的第一阱区及第二导电型的第二阱区,其中第一导电型和第二导电型为互补。多个第一虚设结构设置在第一阱区中并沿着第一阱区及第二阱区之间的接面区排列。第一虚设结构分别包括第一导电区以及第一掺杂区,且第一掺杂区位于第一导电区及第一阱区之间。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括: 基底; 第一阱区及第二阱区,设置在该基底中,其中该第一阱区具有第一导电型,该第二阱区具有第二导电型,该第一导电型和该第二导电型为互补;以及 多个第一虚设结构,设置在该基底中的该第一阱区中并沿着该第一阱区及该第二阱区之间的接面区排列,其中该多个第一虚设结构分别包括第一导电区以及第一掺杂区,该第一掺杂区具有第一导电型,且该第一掺杂区位于该第一导电区及该第一阱区之间。
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