买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉万国半导体国际有限合伙公司申请的专利具有高保持电压的低电容瞬态电压抑制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695341B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111476167.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有高保持电压的低电容瞬态电压抑制器是由雪克·玛力卡勒强斯瓦密设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高保持电压的低电容瞬态电压抑制器在说明书摘要公布了：一种瞬态电压抑制器TVS装置，包括作为高侧转向二极管和低侧转向二极管之间的箝位装置的可控硅整流器SCR。所述SCR包括沿半导体层的主表面和与所述SCR的电流路径正交的方向交错排列的交替发射极和基极区域。TVS器件在受保护节点实现了低电容和高保持电压。

本发明授权具有高保持电压的低电容瞬态电压抑制器在权利要求书中公布了：1.一种瞬态电压抑制TVS器件，其特征在于，包括： 一个含有第一导电类型的第一外延层的半导体层； 多个形成在半导体层中的有源区，所述有源区通过隔离结构相互隔开； 一个形成在第一有源区中的高侧转向二极管，其具有一个耦合到第一受保护节点的阳极端子和一个阴极端子；以及 一个形成在所述的多个有源区中的一个第二有源区中的钳位器件，该钳位器件包括一个可控硅整流器SCR，该可控硅整流器包括一个耦合到高侧转向二极管的阴极端上的阳极端以及一个阴极端，可控硅整流器包括： 一个形成在第一外延层中的第一导电类型的第一阱； 一个第二导电类型的第二阱形成在所述第一外延层中，在所述半导体层的主表面上，所述第二阱在第一方向上与所述第一阱相邻并间隔开，用于降低SCR器件的电容，第二导电类型与第一导电类型相反； 在第一阱中形成的第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域，而且重掺杂，第一和第二区域电连接并形成SCR的阳极端；以及 第一导电类型的第三区域和第二导电类型的第四区域，形成在第二阱中并且重掺杂，第三和第四区域电连接并且形成SCR的阴极端， 其中所述第一和第二区域在所述半导体层的主表面上沿正交于所述第一方向的第二方向布置为所述第一阱中的交替掺杂区域，并且所述第三和第四区域沿所述第二方向布置为所述第二阱中的交替掺杂区域，第三区域与第二区域在第二方向共面布置，第四区域与第一区域在第二方向共面布置； 其中，所述第二区域和所述第三区域为发射极区域，所述第一区域和所述第四区域为基极本体接触区域，交替的所述发射极和所述基极本体接触区域形成SCR的PNPN结构的PNP和NPN双极晶体管，在所述发射极区域周围形成一个由所述基极本体接触区域组成的环，使所述SCR中NPNPNP双极晶体管的基极电流被中断。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人万国半导体国际有限合伙公司，其通讯地址为：加拿大安大略多伦多国王西街100号6000室(M5X1E2)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。