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龙图腾网获悉夏普株式会社申请的专利有源矩阵基板及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111578917.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权有源矩阵基板及其制造方法是由高畑仁志;菊池哲郎;原健吾;西宫节治;铃木正彦;大东彻设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源矩阵基板及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种有源矩阵基板，具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT。有源矩阵基板具备第1TFT和第2TFT，各TFT的氧化物半导体层包含高电阻区域和低电阻区域，高电阻区域包含在从基板的法线方向观看时与栅极电极重叠的沟道区域以及与栅极绝缘层重叠而与栅极电极不重叠的偏移区域，低电阻区域包含源极接触区域、漏极接触区域以及介于这些接触区域与高电阻区域之间的介设区域，第1TFT的栅极绝缘层包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜，第2TFT的栅极绝缘层包含第2绝缘膜而不包含第1绝缘膜，第1TFT的偏移区域的沟道长度方向的合计长度L1大于第2TFT的偏移区域的沟道长度方向的合计长度L2。

本发明授权有源矩阵基板及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有源矩阵基板，具备基板和支撑于上述基板的主面并且包含第1TFT和第2TFT的多个氧化物半导体TFT，其特征在于， 各氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层，其配置在上述氧化物半导体层的一部分上；栅极电极，其配置在上述栅极绝缘层的一部分上；以及源极电极和漏极电极， 上述第1TFT的上述氧化物半导体层由第1氧化物半导体膜形成，上述第2TFT的上述氧化物半导体层与上述第1TFT的上述氧化物半导体层是不同的层，并且上述第2TFT的上述氧化物半导体层由迁移率比上述第1氧化物半导体膜的迁移率高的第2氧化物半导体膜形成， 上述第1TFT和上述第2TFT的上述氧化物半导体层分别包含由上述栅极绝缘层覆盖的高电阻区域以及位于上述高电阻区域的两侧且未由上述栅极绝缘层覆盖的低电阻区域，上述低电阻区域具有比上述高电阻区域小的电阻率， 上述高电阻区域包含在从上述基板的上述主面的法线方向观看时与上述栅极电极重叠的沟道区域以及与上述栅极绝缘层重叠而与上述栅极电极不重叠的偏移区域，上述偏移区域包含分别位于上述沟道区域的两侧的源极侧偏移区域和漏极侧偏移区域， 上述源极侧偏移区域的沟道长度方向的长度由在从上述基板的法线方向观看时从上述栅极电极的上述源极电极侧的缘部至上述栅极绝缘层的上述源极电极侧的缘部为止的沟道长度方向的长度来规定， 上述漏极侧偏移区域的沟道长度方向的长度由在从上述基板的法线方向观看时从上述栅极电极的上述漏极电极侧的缘部至上述栅极绝缘层的上述漏极电极侧的缘部为止的沟道长度方向的长度来规定， 上述低电阻区域包含：源极接触区域，其电连接到上述源极电极；漏极接触区域，其隔着上述高电阻区域位于上述源极接触区域的相反侧，并且电连接到上述漏极电极；以及源极侧介设区域和漏极侧介设区域，其分别介于上述源极接触区域与上述高电阻区域之间以及上述漏极接触区域与上述高电阻区域之间， 上述第1TFT的上述栅极绝缘层包含第1绝缘膜和配置在上述第1绝缘膜上的第2绝缘膜，上述第2TFT的上述栅极绝缘层包含上述第2绝缘膜而不包含上述第1绝缘膜， 上述第1TFT的上述偏移区域的沟道长度方向的合计长度L1大于上述第2TFT的上述偏移区域的沟道长度方向的合计长度L2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人夏普株式会社，其通讯地址为：日本大阪府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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