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龙图腾网获悉南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利平面高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011536169.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权平面高电子迁移率晶体管是由周翔设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本平面高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面高电子迁移率晶体管，包括：第一半导体外延层和第二半导体外延层组成的异质结以及位于异质结界面处的二维电子气；沟槽栅的栅极沟槽底部表面位于二维电子气的底部使二维电子气截断；当栅源电压大于等于阈值电压时，被栅极导电材料层侧面和底部表面覆盖的第一半导体外延层的表面形成反型层，源漏端二维电子气导通使器件导通；栅源电压小于阈值电压时，源漏端二维电子气断开并使器件关闭。本发明能实现采用MOSFET的沟槽栅来实现对HEMTs的导通沟道的控制从而方便对阈值电压进行独立调节，方便实现常关型平面高电子迁移率晶体管；还能方便对漂移区电场进行调节从而使漂移区电场分布均匀，能提高器件的击穿电压、降低比导通电阻和尺寸。

本发明授权平面高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种平面高电子迁移率晶体管，其特征在于，器件单元包括： 第一半导体外延层和形成于所述第一半导体外延层表面的第二半导体外延层，所述第一半导体外延层和所述第二半导体外延层组成第一异质结并在所述第一异质结界面处形成二维电子气； 沟槽栅，包括栅极沟槽、形成于所述栅极沟槽内侧表面的栅介质层以及填充所述栅极沟槽的栅极导电材料层； 所述栅极沟槽穿过所述第二半导体外延层使所述栅极沟槽的底部表面位于所述二维电子气的底部的所述第一半导体外延层中，所述沟槽栅使所述二维电子气截断为源端二维电子气和漏端二维电子气； 源极金属层和所述栅极沟槽的第一侧面具有间距，所述源极金属层穿过所述第二半导体外延层，所述源极金属层的底部区域和所述源端二维电子气形成欧姆接触； 漏极金属层和所述栅极沟槽的第二侧面具有间距，所述漏极金属层穿过所述第二半导体外延层，所述漏极金属层的底部区域和所述漏端二维电子气形成欧姆接触； 所述栅极导电材料层连接到栅极导电材料层； 当所述栅极导电材料层和所述源极金属层之间的栅源电压大于等于阈值电压时，被所述栅极导电材料层侧面和底部表面覆盖的所述第一半导体外延层的表面形成反型层，所述反型层使所述源端二维电子气和所述漏端二维电子气导通并一起组成使所述源极金属层和所述漏极金属层导通的导电沟道并从而使器件导通； 当所述栅极导电材料层和所述源极金属层之间的栅源电压小于阈值电压时，所述源端二维电子气和所述漏端二维电子气断开并使器件关闭； 漂移区位于所述漏极金属层和所述栅极沟槽的第二侧面之间，在所述漂移区中设置有电荷平衡结构，在反偏时，所述电荷平衡结构使得所述漂移区电场分布均匀； 所述电荷平衡结构包括： 在所述漂移区的所述第二半导体外延层表面设置有第三半导体外延层，所述第三半导体外延层的材料包括氮化镓； 所述第三半导体外延层和所述第二半导体外延层形成的第二异质结的界面处会形成束缚电荷，通过所述第二异质结的界面处的束缚电荷调节所述漂移区电场分布并使所述漂移区电场分布均匀； 在所述漂移区的所述第二半导体外延层表面上所述第三半导体外延层分成一个以上的第三半导体外延层子段以及一个以上的第三半导体外延层间隔区，所述第三半导体外延层子段和所述第三半导体外延层间隔区交替排列在所述漂移区的所述第二半导体外延层表面上； 所述第三半导体外延层子段的数量为1个，所述第三半导体外延层间隔区的数量为1个； 从所述栅极沟槽的第二侧面到所述漏极金属层的方向上，所述第三半导体外延层子段和所述第三半导体外延层间隔区依次排列；或者，从所述栅极沟槽的第二侧面到所述漏极金属层的方向上，所述第三半导体外延层间隔区和所述第三半导体外延层子段依次排列； 或者，所述电荷平衡结构包括： 从所述栅极沟槽的第二侧面到所述漏极金属层的方向上所述第二半导体外延层的厚度具有变化的结构，通过调节所述第二半导体外延层的厚度调节所述第一异质结的界面处的束缚电荷密度并从而所述漂移区电场分布并使所述漂移区电场分布均匀； 从所述栅极沟槽的第二侧面到所述漏极金属层的方向上，根据厚度不同所述第二半导体外延层分成二个以上的第二半导体外延层子段； 或者，从所述栅极沟槽的第二侧面到所述漏极金属层的方向上，所述第二半导体外延层的厚度按照一次函数逐渐增加或者按照一次函数逐渐减少或者先按照一次函数逐渐增加并在增加到最大值后再按照一次函数逐渐减少或者先按照一次函数逐渐减少并在减少到最小值后再按照一次函数逐渐增加。

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