意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司E·杜奇获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司申请的专利半导体器件以及用于制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114572928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111430582.3，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权半导体器件以及用于制造半导体器件的方法是由E·杜奇;L·巴尔多;P·菲拉里;B·维格纳;F·F·维拉;L·M·卡斯托尔迪;I·格尔米设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及用于制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：基底；集成到基底中的换能微结构；接合到基底以及具有邻近第一基底以及第二外部表面的盖；以及穿过盖从第二面延伸到第一并且与换能微结构连通的通道。可透过气态物质的多孔多晶硅微结构的保护膜跨过通道被设置。
本发明授权半导体器件以及用于制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 基底； 换能微结构，在所述基底中； 盖，耦合到所述基底，并且所述盖具有面向所述基底的第一面、以及外部第二面； 通道，穿过所述盖从所述第二面延伸到所述第一面，并且所述通道与所述换能微结构流体连通，所述通道包括内部侧壁； 多孔多晶硅的保护膜，所述保护膜跨过所述通道，并且在所述通道的所述内部侧壁上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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