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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种非对称定向耦合器及可调控模式产生器、光环行器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114563845B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210243401.4，技术领域涉及：G02B6/293；该发明授权一种非对称定向耦合器及可调控模式产生器、光环行器是由马汉斯;罗鸣宇;高慧琴;杨俊波;方粮设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称定向耦合器及可调控模式产生器、光环行器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种非对称定向耦合器，包括衬底，所述衬底上设有顶层硅，所述顶层硅包括第一端口、耦合区域、第一输出波导和第二输出波导，所述耦合区域的一端与第一端口连接，另一端与第一输出波导和第二输出波导连接，所述耦合区域上覆盖有相变材料层，耦合区域被划分为N×M个矩形单元，通过调整所述矩形单元的状态，形成一个满足预定第一输出目标的非周期性第一打孔阵列，所述第一输出目标是指第一输出波导和第二输出波导的透过率之和；本发明提供的非对称定向耦合器尺寸小且易加工，性能稳定，可实现光传播路径的调控。

本发明授权一种非对称定向耦合器及可调控模式产生器、光环行器在权利要求书中公布了：1.一种可调控模式产生器，其特征在于：包括非对称定向耦合器、模分复用器优化区和第三输出波导，所述模分复用器优化区的一端分别与第一输出波导和第二输出波导连接，另一端与第三输出波导连接，所述模分复用器优化区被划分为X×Y个第四矩形单元，通过调整所述第四矩形单元的状态，形成一个满足预定第二输出目标的非周期性第二打孔阵列，所述第二输出目标是指第三输出波导中两个输出不同模式的透过率之和； 所述非对称定向耦合器，包括衬底，所述衬底上设有顶层硅，所述顶层硅包括第一端口、耦合区域、第一输出波导和第二输出波导，所述耦合区域的一端与第一端口连接，另一端与第一输出波导和第二输出波导连接，所述耦合区域上覆盖有相变材料层，耦合区域被划分为N×M个矩形单元，通过调整所述矩形单元的状态，形成一个满足预定第一输出目标的非周期性第一打孔阵列，所述第一输出目标是指第一输出波导和第二输出波导的透过率之和； 所述耦合区域包括上波导、波导间隙和下波导，所述第一端口、上波导及第一输出波导依次连接，所述下波导与第二输出波导连接，所述相变材料层覆盖于下波导的顶面，所述上波导和下波导之间为波导间隙； 所述衬底的厚度为3μm，所述顶层硅的厚度为220nm，所述耦合区域的长度为10μm，所述上波导的宽度380nm，上波导被划分为4×100个第一矩形单元，每个第一矩形单元大小为95nm×100nm，深度为220nm，初始状态为不打孔；所述下波导和相变材料层的宽度均为350nm，所述相变材料层的厚度为40nm，相变材料层被划分为4×100个第二矩形单元，每个第二矩形单元大小为87.5nm×100nm，深度为40nm，初始状态为不打孔；所述波导间隙被划分为2×100个第三矩形单元，每个第三矩形单元大小为100nm×100nm，深度为220nm，初始状态为打孔。

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