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龙图腾网获悉卓思私人有限公司申请的专利减轻单事件瞬态的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080070620.6，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权减轻单事件瞬态的电路是由张健学;舒为;曲勇;张坤翔;艾隆杰·米塔尔设计研发完成，并于2020-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本减轻单事件瞬态的电路在说明书摘要公布了：一种用于减轻单效应瞬态SET的电路，包括：第一子电路，包括被配置为产生第一输出的第一p型晶体管布置和被配置为产生第二输出的第一n型晶体管布置；以及第二子电路，包括串联连接的连接p型晶体管布置和连接n型晶体管布置，其中第一输出和第二输出通过第二子电路彼此电耦接。

本发明授权减轻单事件瞬态的电路在权利要求书中公布了：1.一种用于减轻单效应瞬态SET的电路，所述电路具有第一输入、第二输入、第一互补输入、第二互补输入、第一输出和第二输出，并且包括： 第一子电路，包括： 第一p型晶体管布置，包括被配置为产生所述第一输出的至少一个p型晶体管，以及 第一n型晶体管布置，包括被配置为产生所述第二输出的至少一个n型晶体管， 其中，所述第一p型晶体管布置接收所述第一输入以控制所述第一输出，所述第一n型晶体管布置接收所述第二输入以控制所述第二输出，以及 第二子电路，包括： 连接p型晶体管布置，包括至少一个p型晶体管，以及 连接n型晶体管布置，包括串联连接到所述连接p型晶体管布置的至少一个n型晶体管， 其中，所述连接p型晶体管布置中的所述至少一个p型晶体管的漏极端子与所述连接n型晶体管布置中的所述至少一个n型晶体管的漏极端子彼此电耦接，以及 第二p型晶体管布置，包括至少一个p型晶体管，以及， 第二n型晶体管布置，包括至少一个n型晶体管， 其中，所述第一输出还电耦接至所述第二p型晶体管布置中的所述至少一个p型晶体管的漏极端子，并且所述第二输出还电耦接至所述第二n型晶体管布置中的所述至少一个n型晶体管的漏极端子， 所述连接p型晶体管布置中的所述至少一个p型晶体管的栅极端子与所述第二n型晶体管布置中的所述至少一个n型晶体管的栅极端子由所述第一互补输入控制，并且所述连接n型晶体管布置中的所述至少一个n型晶体管的栅极端子与所述第二p型晶体管布置中的所述至少一个p型晶体管的栅极端子由所述第二互补输入控制， 所述第二p型晶体管布置中的所述至少一个p型晶体管的源极端子与VDD电耦接，并且所述第二n型晶体管布置中的所述至少一个n型晶体管的源极端子与VSS电耦接， 其中，所述第一输出和所述第二输出经由所述第二子电路的所述连接p型晶体管布置和所述第二子电路的所述连接n型晶体管布置来通过所述第二子电路彼此电耦接。

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