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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用以防止HDP-CVD腔室电弧放电的先进涂层方法及材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210097874.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用以防止HDP-CVD腔室电弧放电的先进涂层方法及材料是由琳·张;路雪松;安德鲁·V·勒;吴昌锡设计研发完成，并于2016-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本用以防止HDP-CVD腔室电弧放电的先进涂层方法及材料在说明书摘要公布了：本文中所述的实施方式涉及用以减少例如在HDP‑CVD、PECVD、PE‑ALD及蚀刻腔室中腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。

本发明授权用以防止HDP-CVD腔室电弧放电的先进涂层方法及材料在权利要求书中公布了：1.一种环形气体分配器，所述环形气体分配器用于在等离子体处理腔室的基板支撑件下方在所述等离子体处理腔室的下部分中分配陈化处理气体，所述环形气体分配器包括： 环形主体，所述环形主体具有顶部分和下部分，所述环形气体分配器的外侧壁的直径在所述顶部分处相较于所述下部分是较大的，所述环形主体具有平面和弯曲面，所述平面和所述弯曲面限定在所述环形主体中的空间，所述平面从所述顶部分延伸到所述下部分，所述弯曲面被定位为与所述平面相对，所述平面接合所述等离子体处理腔室的腔室主体的内表面； 至少一个气体进口，所述至少一个气体进口通过所述环形主体的所述弯曲面而形成；及 多个气体分配口，所述多个气体分配口通过所述环形主体的所述弯曲面而形成，所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中，其中所述多个均匀分布的行的第一行中的所述多个气体分配口被调适为以与所述多个均匀分布的行的第二行中的所述多个气体分配口的出口角不同的出口角引导气体，并且所述气体分配口中的至少一个气体分配口被配置为相对于所述环形气体分配器的中心线向外引导气体。

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