苏州汉天下电子有限公司柏沁园获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州汉天下电子有限公司申请的专利声学谐振器及其制造方法以及包括该声学谐振器的滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111658884.6，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权声学谐振器及其制造方法以及包括该声学谐振器的滤波器是由柏沁园;赖志国;杨清华设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本声学谐振器及其制造方法以及包括该声学谐振器的滤波器在说明书摘要公布了：本公开提供了声学谐振器及其制造方法以及包括该声学谐振器的滤波器。根据本公开的声学谐振器包括：衬底，在衬底内部或表面上设置有反射构件；以及压电叠层，其设置在衬底上方以与反射构件交叠以构成有效谐振区域，压电叠层包括沿竖直方向依次设置的下电极、压电层和上电极，其中在上电极和或下电极中在与有效谐振区域的边缘对应的位置处形成有完全被上电极和或下电极包裹的空腔。根据本公开的声学谐振器及其制造方法，能够在声学谐振器的有效谐振区域周围形成空腔以将谐振能量限制在有效谐振区域中，从而减少谐振能量的损失，提高声学谐振器的品质因数。
本发明授权声学谐振器及其制造方法以及包括该声学谐振器的滤波器在权利要求书中公布了：1.一种声学谐振器，包括： 衬底，在所述衬底内部或表面上设置有反射构件；以及 压电叠层，其设置在所述衬底上方以与所述反射构件交叠以构成有效谐振区域，所述压电叠层包括沿竖直方向依次设置的下电极、压电层和上电极， 其特征在于，在所述上电极和或下电极中在与所述有效谐振区域的边缘对应的位置处形成有完全被所述上电极和或所述下电极包裹的空腔; 在所述上电极和或下电极的上表面和或下表面中在与所述有效谐振区域的边缘对应的位置处设置有凸起部，所述空腔形成在所述凸起部中; 所述凸起部在水平方向上的宽度为5μm至15μm，在竖直方向上的高度为0.06μm至0.15μm; 其中，所述凸起部和其内部的空腔是通过如下工艺形成的：在形成所述上电极和或下电极时，先在边缘对应的位置沉积牺牲层，然后溅射生长上电极和或下电极，此时在边缘处多生长一部分上电极和或下电极，最后释放牺牲层以形成上电极和或下电极的边缘处的空腔。
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