台湾积体电路制造股份有限公司周耕宇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114388539B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110409110.3,技术领域涉及:H10F39/18;该发明授权集成芯片及其形成方法是由周耕宇;庄君豪;刘人诚;桥本一明;陈铭恩;丁世汎;蔡双吉;江伟杰设计研发完成,并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片及其形成方法在说明书摘要公布了:本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内的图像感测元件。栅极结构沿着衬底的前侧设置。衬底的背侧包括一个或多个第一成角度的表面,该一个或多个第一成角度的表面限定设置在图像感测元件上方的中心扩散器。衬底的背侧还包括第二成角度的表面,该第二成角度的表面限定横向地围绕中心扩散器的多个外围扩散器。多个外围扩散器的尺寸小于中心扩散器的尺寸。本发明的实施例涉及集成芯片的形成方法。
本发明授权集成芯片及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种集成芯片,包括: 图像感测元件,设置在衬底内; 栅极结构,沿着所述衬底的前侧设置; 其中,所述衬底的背侧包括一个或多个第一成角度的表面,所述一个或多个第一成角度的表面限定设置在所述图像感测元件上方的中心扩散器;并且 所述衬底的所述背侧还包括第二成角度的表面,所述第二成角度的表面限定横向地围绕所述中心扩散器的多个外围扩散器,所述多个外围扩散器的尺寸小于所述中心扩散器的尺寸, 其中,所述多个外围扩散器中的第一对布置在所述中心扩散器的相对侧上、并且沿着在所述中心扩散器的顶视图中二等分所述中心扩散器的第一线布置,并且所述多个外围扩散器中的第二对沿着第二线布置在所述中心扩散器的相对侧上,在所述中心扩散器的顶视图中,所述第二线垂直于所述第一线并且在所述中心扩散器的顶视图中二等分所述中心扩散器。
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