国民技术股份有限公司张弛获国家专利权
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龙图腾网获悉国民技术股份有限公司申请的专利高压保护电路及芯片、装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114336535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111658950.X，技术领域涉及：H02H7/20；该发明授权高压保护电路及芯片、装置是由张弛;罗庆峰;赵辉;梁洁;李举会设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压保护电路及芯片、装置在说明书摘要公布了：本申请提出一种高压保护电路及芯片、装置。所述高压保护电路与芯片引脚和芯片内部电路串联，包括衬底选择电路、高压检测电路和保护开关：所述高压检测电路，接收供电电压、芯片引脚电压，检测所述芯片引脚电压，输出控制信号；所述衬底选择电路，接收供电电压、芯片引脚电压，输出衬底电压；所述保护开关，接收所述控制信号和所述衬底电压，控制所述高压保护电路的通断。
本发明授权高压保护电路及芯片、装置在权利要求书中公布了：1.一种高压保护电路，其特征在于，所述高压保护电路用于芯片，所述高压保护电路与芯片引脚和芯片内部电路串联，包括衬底选择电路、高压检测电路和保护开关： 所述高压检测电路，接收供电电压、芯片引脚电压，根据所述芯片引脚电压和所述供电电压，输出控制信号； 所述衬底选择电路，接收供电电压、芯片引脚电压，根据所述供电电压和所述芯片引脚电压，输出衬底电压； 若所述芯片引脚电压高于供电电压，则所述衬底选择电路输出所述衬底电压等于所述芯片引脚电压； 若所述芯片引脚电压低于供电电压，则所述衬底选择电路输出所述衬底电压等于所述供电电压； 所述保护开关，接收所述控制信号和所述衬底电压，以控制所述高压保护电路的通断，所述保护开关包括并联的第一开关和第二开关，其中： 所述第一开关为N-MOS管，栅极端接所述供电电压，衬底接地； 所述第二开关为P-MOS管，栅极端接所述控制信号，衬底接所述衬底电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国民技术股份有限公司，其通讯地址为：518057 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区宝深路109号国民技术大厦1楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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