上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司刘云珍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111643210.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法是由刘云珍设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，鳍结构的形成方法包括：提供一衬底；形成第一介质层，填充鳍组内的鳍片间，并衬底的表面；形成第二介质层填充鳍组，并覆盖第一介质层；蚀刻鳍组间的第二介质层，以形成沟槽；形成第三介质层填充沟槽，第一介质层和第二介质层具有相反类型的应力；执行热处理工艺，以形成隔离介质层，并去除部分厚度的隔离介质层，以暴露的部分鳍片作为鳍结构。本发明中，通过第一介质层、第二介质层以及第三介质层填充鳍组间，利用第一介质层与第二介质层具有相反类型的应力且第三介质层的应力小于第一介质层及第二介质层的应力，以平衡鳍组间的应力，从减少鳍片两侧的应力差异，防止鳍片变形。
本发明授权鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上具有至少两个间隔排列的鳍组，每个所述鳍组包括至少两个间隔排列的鳍片，所述鳍组间的间距大于所述鳍组内的鳍片间的间距； 形成第一介质层，所述第一介质层填充于所述鳍组内的鳍片之间，并覆盖所述鳍片和所述衬底的表面； 形成第二介质层，所述第二介质层充于所述鳍组之间，并覆盖所述第一介质层的表面； 执行蚀刻工艺，以在所述鳍组之间的第二介质层中形成沟槽； 形成第三介质层，所述第三介质层填充所述沟槽，所述第一介质层和所述第二介质层具有相反类型的应力，所述第三介质层的应力小于所述第一介质层的应力及所述第二介质层的应力； 执行热处理工艺，使所述第三介质层、所述第二介质层以及所述第一介质层形成为隔离介质层，并去除部分厚度的所述隔离介质层，以暴露的部分所述鳍片作为鳍结构。
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