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龙图腾网获悉合肥维信诺科技有限公司申请的专利阵列基板的制备方法和阵列基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111518178.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板的制备方法和阵列基板是由李锦设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板的制备方法和阵列基板在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板的制备方法和阵列基板，该制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成金属氧化物半导体层、阻氢层和含氢层；其中，阻氢层位于金属氧化物半导体层和含氢层之间；在形成阻氢层的步骤中包括：形成金属层；氧化处理部分金属层，保留其余部分金属层；其中，氧化处理的金属层形成阻氢层，保留的至少部分金属层与金属氧化物半导体层相对应，且分别形成金属氧化物薄膜晶体管的栅极层和有源层。阻氢层用于阻挡含氢层中的氢扩散到MO薄膜晶体管的有源层中。因此，本申请实施例提供的阵列基板的制备方法和阵列基板，能够提高金属氧化物薄膜晶体管的可靠性，从而提高阵列基板的可靠性。

本发明授权阵列基板的制备方法和阵列基板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成金属氧化物半导体层、阻氢层和含氢层；其中，所述阻氢层位于所述金属氧化物半导体层和含氢层之间； 在形成所述阻氢层的步骤中包括： 形成金属层； 氧化处理部分所述金属层，保留其余部分所述金属层；其中，氧化处理的所述金属层形成所述阻氢层，保留的所述金属层中的至少部分在所述衬底上的正投影，与所述金属氧化物半导体层在所述衬底上的正投影至少部分重叠，且保留的所述金属层形成金属氧化物薄膜晶体管的栅极层，所述金属氧化物半导体层形成有源层；其中，在同一工序中形成栅极层和阻氢层，所述栅极层与阻氢层相连； 保留的所述金属层的厚度与所述阻氢层的厚度相等； 或，保留的所述金属层的厚度小于所述阻氢层的厚度；其中，沿所述阻氢层的厚度方向上，所述阻氢层包括第一厚度区和第二厚度区，所述第一厚度区位于所述第二厚度区的远离所述衬底的一侧； 保留的所述金属层位于所述第一厚度区，且保留的所述金属层的厚度与所述第一厚度区中的所述阻氢层的厚度相等；或，保留的所述金属层位于所述第二厚度区，且保留的所述金属层的厚度与所述第二厚度区中的所述阻氢层的厚度相等。

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