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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203817B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110646851.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置是由入船裕行;河野洋志;水上诚;镰田周次设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、第一导电型的第一有源区域、以及第三电极。所述第一半导体层设于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二半导体层设于所述第一半导体层之上。所述第一有源区域在第二方向上与所述第二半导体层邻接。所述第一有源区域具有所述第一上部与第二下部。所述第一下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述第一上部在所述第二方向上的宽度的平均值大。所述第三半导体层与所述第二电极电连接。所述第三电极隔着绝缘膜设于与所述第一有源区域之间。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一电极； 第二电极； 第一导电型的第一半导体层，设于所述第一电极与所述第二电极之间； 第二导电型的第二半导体层，设于所述第一半导体层与所述第二电极之间； 第一导电型的第三半导体层，设于所述第二半导体层与所述第二电极之间，并与所述第二电极电连接；以及 第三电极，隔着绝缘膜以及绝缘层而设于所述第一半导体层与所述第二电极之间、所述第二半导体层与所述第二电极之间、以及所述第三半导体层与所述第二电极之间， 所述第一半导体层具有： 第一区域； 第一有源区域，设于所述第一区域上，与所述第二半导体层以及所述绝缘膜相接，与所述第二电极分离； 第二有源区域，设于所述第一区域上，与所述第二半导体层以及所述第二电极相接，隔着所述第二半导体层与所述第一有源区域分离， 所述第一有源区域具有： 第一上部，位于所述第一区域与所述第二电极之间； 第一下部，位于所述第一区域与所述第一上部之间，所述第一下部在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向正交的第二方向上的宽度的平均值比所述第一上部在所述第二方向上的宽度的平均值大， 所述第二有源区域具有： 第二上部，与所述第二电极相接； 第二下部，位于所述第一区域与所述第二上部之间，并且所述第二下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述第二上部在所述第二方向上的宽度的平均值大， 所述第一有源区域的与所述绝缘膜相接的上表面的宽度，比所述第一上部的宽度的平均值小， 所述第一区域位于所述第一有源区域以及所述第二半导体层之下，所述第一区域的上表面与所述第一有源区域以及所述第二半导体层的下表面相接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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