买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于竖直三维(3D)存储器的沟道形成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121956B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110710676.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权用于竖直三维(3D)存储器的沟道形成是由K·M·考尔道;刘海涛设计研发完成，并于2021-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于竖直三维(3D)存储器的沟道形成在说明书摘要公布了：本申请涉及用于竖直三维3D存储器的沟道形成。提供了用于以下的系统、方法和设备：在重复迭代中沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠；形成穿过所述竖直堆叠的多个竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有侧壁的细长竖直柱列；图案化所述柱列以暴露位置以形成沟道区域；选择性地去除所述牺牲材料的一部分以在所述细长竖直柱列的所述侧壁中在所述第一水平方向上形成第一水平开口；并且在所述第一水平开口中沉积沟道材料以在所述侧壁内形成所述沟道区域以用于水平定向的存取装置。

本发明授权用于竖直三维(3D)存储器的沟道形成在权利要求书中公布了：1.一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元101,1180的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置230,330和竖直定向的存取线103,203,303，所述方法包括： 在重复迭代中沉积介电材料430,530,630,730,830,930,1030和牺牲材料432,532,632,732,832的交替层以形成竖直堆叠401； 穿过所述竖直堆叠401形成多个竖直开口472,672，所述多个竖直开口具有第一水平方向109,209,309,609,709,809,909,1009和第二水平方向105,205,305,605,705,805,905,1005并且主要在所述第二水平方向105,205,305,605,705,805,905,1005上延伸以在所述竖直堆叠401中形成具有侧壁的细长竖直柱列613,642,742,842,942,1042； 图案化所述细长竖直柱列613,642,742,842,942,1042以暴露位置以在所述层中的每一层中的牺牲材料432,532,632,732,832中形成沟道区域1025； 选择性地去除所述牺牲材料432,532,632,732,832的一部分以在所述细长竖直柱列613,642,742,842,942,1042的所述侧壁614中在所述第一水平方向109,209,309,609,709,809,909,1009上形成第一水平开口417；以及 在所述第一水平开口417中沉积沟道材料418,518以在所述侧壁内形成所述沟道区域1025以用于所述水平定向的存取装置230,330。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。