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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利闪烁体面板及其制作方法、放射线图像检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114114373B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111386031.1，技术领域涉及：G01T1/202；该发明授权闪烁体面板及其制作方法、放射线图像检测装置是由杨凯;杨祎凡;侯学成设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪烁体面板及其制作方法、放射线图像检测装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种闪烁体面板及其制作方法、放射线图像检测装置，属于闪烁体面板技术领域。该闪烁体面板包括基底，包括感光区；闪烁体层，设于基底的一侧并以柱状晶体生长，闪烁体层位于感光区，闪烁体层包括第一部和位于第一部外围的第二部，第二部的柱状晶体的高度小于第一部的柱状晶体的高度；侧围坝，设在闪烁体层的外围；透明阻水层，设于闪烁体层远离基底的一侧；反射封装膜，包括粘结层和反射膜层，反射封装膜通过粘结层贴附于透明阻水层远离基底的表面和侧围坝；其中，粘结层在基底所在平面上的正投影与第一部在基底所在平面上的正投影不重叠，且粘结层在基底所在平面上的正投影与第二部在基底所在平面上的正投影至少部分重叠。

本发明授权闪烁体面板及其制作方法、放射线图像检测装置在权利要求书中公布了：1.一种闪烁体面板，其特征在于，包括： 基底，包括感光区； 闪烁体层，设于所述基底的一侧并以柱状晶体生长，所述闪烁体层位于所述感光区，所述闪烁体层包括第一部和位于所述第一部外围的第二部，所述第二部的柱状晶体的高度小于所述第一部的柱状晶体的高度； 侧围坝，设在所述闪烁体层的外围； 透明阻水层，设于所述闪烁体层远离所述基底的一侧，所述透明阻水层在所述基底上的正投影与所述闪烁体层在所述基底上的正投影至少部分重叠； 反射封装膜，包括粘结层和反射膜层，所述反射封装膜通过所述粘结层贴附于所述透明阻水层远离所述基底的表面和所述侧围坝； 其中，所述粘结层在所述基底所在平面上的正投影与所述第一部在所述基底所在平面上的正投影不重叠，且所述粘结层在所述基底所在平面上的正投影与所述第二部在所述基底所在平面上的正投影至少部分重叠； 所述反射膜层包括反射区和位于所述反射区外围的粘结区，所述粘结层贴附于所述粘结区，所述反射区与所述第一部正对设置； 所述粘结层贴附于所述侧围坝的侧壁和所述透明阻水层远离所述基底且对应于所述第二部的表面； 在平行于所述基底的方向上，所述闪烁体层在所述基底上的正投影的外边缘与所述基底的外边缘之间的距离，等于所述侧围坝在所述基底所在平面上的正投影部分区域的宽度。

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