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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110901169.4，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权半导体装置是由梅本康成;马少骏;小屋茂树;佐佐木健次设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供能够提高负载变动损坏耐性的半导体装置。在基板的表面沿第一方向排列配置的多个单元分别包含至少一个单位晶体管。在相互相邻的两个单元之间分别配置有集电极电极。作为多个单元中的至少一个单元的第一单元包含沿第一方向排列的多个单位晶体管。多个单位晶体管相互并联连接。在第一单元中，多个单位晶体管各自的基极电极和发射极电极沿第一方向排列配置，并且基极电极和发射极电极的排列顺序在多个单位晶体管之间相同。在注目于一个第一单元时，在所注目的第一单元内相互相邻的两个单位晶体管的发射极电极的第一方向上的距离的最大值比所注目的第一单元与和其相邻的单元之间的第一方向上的距离中较短距离的12短。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 基板； 多个晶体管单元，在上述基板的表面沿第一方向排列配置，每一个晶体管单元包含至少一个单位晶体管；以及 集电极电极，分别配置在相互相邻的两个晶体管单元之间， 作为上述多个晶体管单元中的至少一个晶体管单元的第一晶体管单元包含沿上述第一方向排列的多个单位晶体管， 上述多个单位晶体管相互并联连接， 上述多个单位晶体管中的每一个单位晶体管包含集电极层、配置在集电极层之上的基极层、配置在基极层之上的发射极层、与基极层电连接的基极电极、以及与发射极层电连接的发射极电极， 上述集电极电极与在上述第一方向上相邻的晶体管单元所包含的单位晶体管的集电极层电连接， 在上述第一晶体管单元中， 上述多个单位晶体管各自的基极电极和发射极电极沿上述第一方向排列配置，并且基极电极和发射极电极的排列顺序在上述多个单位晶体管之间相同， 在注目于一个上述第一晶体管单元时，发射极电极间距的最大值比单元间距中较短的单元间距的12短，上述发射极电极间距是在所注目的上述第一晶体管单元内相互相邻的两个单位晶体管的发射极电极的上述第一方向上的距离，上述单元间距是所注目的上述第一晶体管单元与和所注目的上述第一晶体管单元相邻的晶体管单元之间的上述第一方向上的特定距离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社村田制作所，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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