美光科技公司L·弗拉汀获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有分裂的支柱架构的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114080699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080048291.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权具有分裂的支柱架构的存储器装置是由L·弗拉汀;F·佩里兹;P·凡蒂尼设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有分裂的支柱架构的存储器装置在说明书摘要公布了：本申请案涉及一种具有分裂的支柱架构的存储器装置。一种存储器装置可包含衬底，其经布置有呈图案的导电接点及穿过导电及绝缘材料的交替层的开口，这可减小所述开口之间的间隔，同时维持电介质厚度以使电压持续被施加于阵列。在蚀刻材料之后，可于沟槽中沉积绝缘材料。所述绝缘材料的部分可被移除以形成其中沉积单元材料的开口。导电支柱可垂直于所述导电材料的平面及所述衬底延伸，且耦合到导电接点。所述导电支柱及所述单元材料可被划分以形成第一存储组件及第二存储组件及第一支柱及第二支柱。
本发明授权具有分裂的支柱架构的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种用于形成存储器装置的方法，其包括： 形成穿过第一电介质层、第一导电层及第二电介质层的沟槽，所述沟槽暴露第一衬底，且将所述第一导电层分成与第一字线驱动器相关联的第一部分及与第二字线驱动器相关联的第二部分； 将绝缘材料沉积到所述沟槽中； 通过蚀刻所述绝缘材料的一部分，在与所述第一衬底接触的接点上方形成第一开口； 将与所述第一导电层的所述第一部分、所述第一电介质层及所述第二电介质层接触的硫属化物材料沉积到所述第一开口中； 将用于形成接触所述硫属化物材料且接触所述第一衬底的支柱的导电材料沉积到所述第一开口中；及 形成穿过所述硫属化物材料及所述导电材料的第二开口，以将所述硫属化物材料分成第一硫属化物组件及第二硫属化物组件，且将所述支柱分成第一支柱及第二支柱。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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