台湾积体电路制造股份有限公司徐崇威获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110882483.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其形成方法是由徐崇威;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;余佳霓;程冠伦;王志豪设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：结构具有位于衬底上方并且邻近介电部件的半导体层的堆叠件。形成包裹每层和介电部件的栅极电介质。在栅极电介质和介电部件上方沉积第一栅电极材料的第一层。介电部件上的第一层凹进至介电部件的顶面下方第一高度。在第一层上方沉积第一栅电极材料的第二层。去除衬底的第一区域中的第一栅电极材料以暴露栅极电介质的位于第一区域中的部分，而保留衬底的第二区域中的第一栅电极材料。在栅极电介质的暴露部分上方和第一栅电极材料的剩余部分上方沉积第二栅电极材料。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 提供结构，所述结构具有衬底和位于所述衬底的表面上方并且邻近介电部件的半导体层的堆叠件，所述半导体层的每个在相应堆叠件内彼此垂直间隔开； 形成包裹所述半导体层和所述介电部件的每个的栅极介电层； 在所述栅极介电层上方和所述介电部件上方沉积第一栅电极材料的第一层； 使所述介电部件上的所述第一栅电极材料的所述第一层凹进至所述介电部件的顶面下方第一高度； 在所述第一栅电极材料的所述第一层上方沉积所述第一栅电极材料的第二层； 去除所述衬底的第一区域中的所述第一栅电极材料以暴露所述栅极介电层的位于所述第一区域中的部分而不去除所述衬底的第二区域中的所述第一栅电极材料；以及 在所述栅极介电层的暴露部分上方和所述第一栅电极材料的剩余部分上沉积第二栅电极材料。
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