爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置及该半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110527539.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体装置及该半导体装置的制造方法是由李南宰设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及该半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体装置及该半导体装置的制造方法。本技术提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：层叠体，其包括彼此交替层叠的绝缘图案和导电图案；沟道层，其包括从层叠体突出的第一沟道部分和在层叠体中的第二沟道部分，并且穿过层叠体；以及导电线路，其围绕第一沟道部分，并且第一沟道部分包括金属硅化物。
本发明授权半导体装置及该半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 层叠体，所述层叠体包括彼此交替层叠的绝缘图案和导电图案； 沟道层，所述沟道层包括从所述层叠体突出的第一沟道部分和在所述层叠体中的第二沟道部分，并且所述沟道层穿过所述层叠体；以及 导电线路，所述导电线路围绕所述第一沟道部分， 其中，所述第一沟道部分包括金属硅化物， 其中，所述第一沟道部分包括设置在所述层叠体中的第一部分和设置在所述导电线路中的第二部分，并且 其中，所述第一部分与所述第二沟道部分直接接触，并且所述第二部分与所述第二沟道部分间隔开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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