台湾积体电路制造股份有限公司熊德智获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110492249.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权集成电路器件及其形成方法是由熊德智;吴俊德;王鹏;林焕哲设计研发完成，并于2021-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路器件及其形成方法。一种方法，包括：在栅极间隔件之间形成栅极结构；回蚀栅极结构以使其低于栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过ILD层并在到达栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触件开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻栅极电介质帽盖的掺杂区域；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。
本发明授权集成电路器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成电路器件的方法，包括： 在栅极间隔件之间和半导体衬底之上形成栅极结构； 回蚀所述栅极结构以使其低于所述栅极间隔件的顶端； 在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖； 执行离子注入工艺以在所述栅极电介质帽盖中形成掺杂区域； 在所述栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质ILD层； 执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过所述ILD层并暴露出所述接触蚀刻停止层的栅极接触件开口； 执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻所述栅极电介质帽盖的掺杂区域，其中，所述第二蚀刻工艺蚀刻穿过所述接触蚀刻停止层和所述栅极电介质帽盖；以及 在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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