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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111067677.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维存储器的制造方法是由艾义明;颜元;任德营;伍术设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种三维存储器的制造方法，包括：提供半导体结构；半导体结构包括：基底，堆叠结构，位于堆叠结构和基底间的隔离层，贯穿堆叠结构和隔离层并延伸至基底中的栅线隙结构及存储柱；去除基底，显露栅线隙结构的第一端部和存储柱的第二端部；存储柱包括：沟道层，及环绕沟道层的功能层；去除第一端部，形成从隔离层向堆叠结构下凹的第一凹陷，剩余栅线隙结构端部与隔离层接触；去除第二端部显露的功能层，形成从隔离层向堆叠结构下凹的第二凹陷，剩余存储柱端部与隔离层接触；利用导电材料覆盖第一凹陷、第二凹陷及显露的隔离层，对导电材料进行粒子注入形成第二导电层。

本发明授权三维存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体结构；其中，所述半导体结构包括：基底，堆叠结构，位于所述堆叠结构和所述基底间绝缘的隔离层，贯穿所述堆叠结构和所述隔离层并延伸至所述基底中的栅线隙结构以及存储柱； 去除所述基底，以显露所述栅线隙结构的第一端部和所述存储柱的第二端部；其中，沿所述存储柱的径向，所述存储柱包括：沟道层，以及环绕所述沟道层的功能层；所述栅线隙结构包括：第三导电层，以及包围所述第三导电层的第二绝缘层； 去除至少部分所述第一端部，形成从所述隔离层向所述堆叠结构下凹的第一凹陷，剩余所述栅线隙结构的端部与所述隔离层接触；所述第三导电层凸出于所述第一凹陷；沿垂直于所述基底的第一方向，所述第一凹陷的侧壁深度小于所述隔离层的厚度； 去除所述第二端部显露的所述功能层，形成从所述隔离层向所述堆叠结构下凹的第二凹陷，剩余所述功能层的端部与所述隔离层接触；所述沟道层凸出于所述第二凹陷；沿所述第一方向，所述第二凹陷的侧壁深度小于所述隔离层的厚度； 利用导电材料覆盖所述第一凹陷、所述第二凹陷以及显露的所述隔离层，并对所述导电材料进行粒子注入形成第二导电层。

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