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龙图腾网获悉国立研究开发法人科学技术振兴机构申请的专利电子电路和双稳态电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113892232B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080040101.5，技术领域涉及：H03K3/356；该发明授权电子电路和双稳态电路是由菅原聪;北形大树;山本修一郎设计研发完成，并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子电路和双稳态电路在说明书摘要公布了：一种电子电路，其具有：单元阵列，其具有多个存储器单元，各个存储器单元分别具有双稳态电路，该双稳态电路具有第一逆变器电路和第二逆变器电路，该第一逆变器电路和该第二逆变器电路能够切换传递特性实质上不具有滞后的第一模式和传递特性具有滞后的第二模式，第一逆变器电路的输出节点和输入节点分别与第二逆变器电路的输入节点和输出节点连接；以及控制电路，其在将多个存储器单元中的存储可以不保持的数据的一个或多个第一存储器单元断电之后，将多个存储器单元中的剩余的一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路设为所述第二模式，在维持第二模式的状态下向一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路提供第二电源电压，该第二电源电压比在读出和或写入数据时提供给双稳态电路的第一电源电压低，在第二电源电压下，第二模式的双稳态电路能够保持数据。

本发明授权电子电路和双稳态电路在权利要求书中公布了：1.一种电子电路，其具有： 单元阵列，其具有多个存储器单元，各个存储器单元分别具有双稳态电路，该双稳态电路具有第一逆变器电路和第二逆变器电路，该第一逆变器电路和该第二逆变器电路能够切换传递特性实质上不具有滞后的第一模式和传递特性具有滞后的第二模式，所述第一逆变器电路的输出节点与所述第二逆变器电路的输入节点连接，并且所述第一逆变器电路的输入节点与所述第二逆变器电路的输出节点连接；以及 控制电路，其在将所述多个存储器单元中的存储可以不保持的数据的一个或多个第一存储器单元断电之后，将所述多个存储器单元中的剩余的一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路设为所述第二模式，在维持所述第二模式的状态下向所述一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路提供第二电源电压，该第二电源电压比在读出和或写入数据时提供给双稳态电路的第一电源电压低，在该第二电源电压下，所述第二模式的双稳态电路能够保持数据， 所述第一逆变器电路和所述第二逆变器电路均具有： 第一导电类型的沟道的第一FET，其源极与第一电源线连接，漏极与输出节点连接，栅极与输入节点连接； 与所述第一导电类型相反的第二导电类型的沟道的第二FET，其源极与第二电源线连接，漏极与中间节点连接，栅极与所述输入节点连接，其中，在所述第二电源线与所述第一电源线之间提供电源电压； 所述第二导电类型的沟道的第三FET，其源极与所述中间节点连接，漏极与所述输出节点连接，栅极与所述输入节点连接；以及 第四FET，其源极和漏极中的一方与所述中间节点连接，所述源极和所述漏极中的另一方与控制节点连接， 所述第一逆变器电路的输出节点和所述第二逆变器电路的输入节点与第一存储节点连接， 所述第一逆变器电路的输入节点和所述第二逆变器电路的输出节点与第二存储节点连接， 所述第一逆变器电路的第四FET的栅极与所述第一存储节点和所述第二存储节点中的一方的节点连接， 所述第二逆变器电路的第四FET的栅极与所述第一存储节点和所述第二存储节点中的另一方的节点连接， 所述第一逆变器电路的第四FET在栅极与所述第一存储节点连接时是所述第二导电类型的沟道的FET，在栅极与所述第二存储节点连接时是所述第一导电类型的沟道的FET， 所述第二逆变器电路的第四FET在栅极与所述第二存储节点连接时是所述第二导电类型的沟道的FET，在栅极与所述第一存储节点连接时是所述第一导电类型的沟道的FET。

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