台湾积体电路制造股份有限公司苏信文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法与仅可一次编程的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110805493.6，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权半导体装置及其制造方法与仅可一次编程的存储器装置是由苏信文;林士豪;陈瑞麟;洪连嵘;王屏薇设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法与仅可一次编程的存储器装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体装置及形成此装置的方法。根据本公开的半导体装置包括：一栅极结构、一源漏极部件、一介电层、一栅极接触点，以及源漏极接触点。源漏极部件是邻近于栅极结构。介电层是设置于栅极结构和源漏极部件之上。栅极接触点是设置于介电层之中及栅极结构之上。源漏极接触点是设置于介电层之中和源漏极部件之上。介电层是掺杂有一掺杂剂，而掺杂剂包括锗或锡。
本发明授权半导体装置及其制造方法与仅可一次编程的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 一栅极结构； 一源漏极部件，邻近于该栅极结构； 一介电层，设置于该栅极结构和该源漏极部件之上； 一栅极接触点，设置于该介电层之中及该栅极结构之上； 一源漏极接触点，设置于该介电层之中和该源漏极部件之上；以及 一泄漏路径，介于该栅极接触点和该源漏极接触点之间，其中该泄漏路径是电性耦接该栅极接触点和该源漏极接触点； 其中该介电层是掺杂有一掺杂剂； 其中该掺杂剂包括锗或锡。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励