买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种3D NAND存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851484B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111085087.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权一种3D NAND存储器及其制造方法是由高庭庭;刘小欣;夏志良;孙昌志;耿万波;杜小龙设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3D NAND存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种3DNAND存储器的制造方法，包括：在衬底上形成至少一层第一绝缘层和至少一层第一牺牲层；形成厚度大于第一牺牲层的第二牺牲层；刻蚀去除第二牺牲层的预设尺寸部分以及至少一层第一牺牲层的预设尺寸部分；形成至少一层第一电荷存储层以及第二电荷存储层，其中，第一电荷存储层的宽度大于第二电荷存储层；刻蚀去除第二电荷存储层以及部分至少一层第一电荷存储层。本申请提供的3DNAND存储器的制造方法，形成的顶部选择栅极层不包括电荷存储层，在顶部选择栅极开启或关断的过程中，可避免多晶硅沟道层内的电子迁移至电荷存储层中而产生弱电子注入效应，使得顶部选择栅极的阈值电压不稳定。

本发明授权一种3D NAND存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种3DNAND存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 提供衬底； 在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括至少一层第一绝缘层和至少一层第一牺牲层，所述第一绝缘层和所述第一牺牲层交替层叠形成，其中，所述至少一层第一绝缘层的层数比所述至少一层第一牺牲层的层数多一层； 在所述堆叠层远离所述衬底的一侧形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的厚度大于所述第一牺牲层的厚度； 在所述第二牺牲层远离所述堆叠层的一侧形成第二绝缘层； 沿层叠方向刻蚀所述第二绝缘层、第二牺牲层以及所述堆叠层，以形成贯穿所述第二绝缘层、第二牺牲层以及所述堆叠层的至少一个沟道孔，使得所述第二绝缘层、第二牺牲层、所述至少一层第一绝缘层及所述至少一层第一牺牲层具有外露于所述至少一个沟道孔的侧壁； 从所述至少一个沟道孔内刻蚀去除所述第二牺牲层的预设尺寸部分以及所述至少一层第一牺牲层的预设尺寸部分，以使得所述第二牺牲层及每一第一牺牲层的侧壁均向内凹陷相同尺寸； 从所述至少一个沟道孔内沉积形成电荷存储层，所述电荷存储层包括至少一层覆盖于所述第一牺牲层侧壁的第一电荷存储层以及覆盖于所述第二牺牲层侧壁的第二电荷存储层，其中，所述第一电荷存储层的宽度大于所述第二电荷存储层，以使得所述第一电荷存储层的侧壁凸出于所述第二电荷存储层的侧壁；以及 从所述至少一个沟道孔内刻蚀所述电荷存储层，同时去除所述第二电荷存储层以及部分所述至少一层第一电荷存储层，以形成至少一层目标电荷存储层，所述目标电荷存储层覆盖于所述第一牺牲层的侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。